利用等温表面电位衰减及热* 放电(thermally stimulated discharge,TSD)方法探讨了恒栅压电晕充电*常压化学气相沉积(APCVD)的Si基Si3N4和热生长SiO2双层薄膜驻极体电荷的存储* .结果表明:在常温环境中,300℃高温下,以及95%相对湿度时的60℃条件下,*试样表现出* 的电荷储存稳定性.对于负电晕充电试样,其电荷输运受慢...
但是离子溅射技术制备的薄膜具有很大的残余应力,而且均为同一方向的压应力,因此只能通过改进工艺来减小镀膜后的应力。 本文采用离子束溅射制备了Ta2O5、SiO2的单层膜和Ta2O5/SiO2高反膜,对其应力特性进行了测试分析。在离子束溅射镀膜过程中,通过改变离子源的束压、充氧量和基板温度等工艺条件,制备了不同条件下的...
摘要: 采用射频磁控溅射技术,制备4种不同溅射时间的SiO2薄膜.用XRD、PL、FTIR、UV-Vis等对薄膜的微结构、发光、红外吸收以及透、反射进行表征.结果表明:SiO2薄膜仍呈四方晶体结构,平均晶粒尺寸在17.39～19.92 nm之间;在430 nm附近出现了发光峰,在1 049～1 022 cm-1之间出现了明显的... 查看全部>> ...
通过原子力显微镜测试表明所制得的杂化薄膜中有机相和无机相之间形成了较好的纳米复合体系.在总掺杂含量为12%时,随所掺杂铝硅原子比例的增加,PI/Si02-Al203杂化薄膜表现出优异的热稳定性和电性能.总的看来,Si02-Al203无机粒子的引入,提高了聚酰亚胺薄膜的热性能、电性能以及其他一些性能,但是聚酰亚胺纳米杂化薄膜的...
在可控合成CMP方面,(1)我们围绕细乳液聚合体系,发展了一系列具有发光功能或催化活性CMP的纳米微球及其复合薄膜材料,并可控的实现了与无机纳米材料的杂化;(2)采用... 吴可义,谭晶,郭佳 - 全国高分子学术论文报告会 被引量: 0发表: 2015年 负载5-氨基乙酰丙酸的丙烯酸纳米凝胶微球光动力疗法对角质形成细胞的作用 ...
Si/SiO2/Ta/Cu薄膜的参数指标、技术参数,详细参数,仪器参数等性能指标方面的信息,合肥科晶其它物性测试仪器,Ta厚度:20-50nm (Ta diffusion barrier) Si/SiO2参数:<100> P型掺B;300nmSiO2;R:1-20ohm-cm;单抛Si/SiO2尺寸:dia 4inch x 0.525mm
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Si/SiO2/Ta/Cu薄膜?(进口?Cu?Epi?Film?Coated?on?Ta/SiO2/Si?Wafer) 技术参数: Cu<111>参数:100nm400nm(highly?oriented?poly-crystalline?Cu) Ta厚度:20-50nm (Ta diffusion barrier) Si/SiO2参数:<100> P型掺B;300nmSiO2;R:1-20ohm-cm;单抛Si/SiO2尺寸:dia 4inch x 0.525mm 表面粗糙度:As gro...
Cu/Ta薄膜补充资料:全氟羧酸-磺酸多层阳离子交换膜 分子式:CAS号:性质:又称全氟羧酸-磺酸多层阳离子交换膜,需在膜的一面形成一羧酸膜层。其制法是将全氟磺酸膜片与全氟羧酸膜片加热层压而成,或在全氟磺酸膜的一面经化学处理,使—SO3H转换成—COOH基。这种离子膜一面为—SO3H基,另一面为—COOH,用聚四氟乙...