XPS图谱分析之-Ta4f 图谱分析(金属和氧化态)。我们探究号科技会一直更新包括(XPS/ TOF-SIMS/ FIB/TEM/SEM-EDS/AES/AFM/ FTIR/ GC-MS/ etc)原理、应用、数据分析和材料分析、失效分析相关案例的免费技术纯干货。感谢每一位粉丝的关注和积极反馈!想尽快掌握相关专业知识
ta元素的xps光谱 钽(Ta)是一种过渡金属元素,其X射线光电子能谱(XPS)分析在材料科学、半导体工业及表面化学研究中具有重要应用。XPS技术通过测量材料表面受X射线激发后发射的光电子动能,获得元素的结合能信息,进而分析元素的化学态及周围化学环境。钽元素的电子结构复杂,4f轨道存在自旋轨道分裂,形成特征双峰,结合能范围...
进一步地,对改性的NCM811@L7TaO-1wt% 样品进行了XPS深度刻蚀分析,结果表明Ta元素由外到内部呈梯度分布,再次证明了Ta元素掺杂到了NCM811内部。 图4.NCM811@L7TaO-1wt% 正极的表面和内部表征。(a)XPS深度刻蚀L7TaO-1wt% 颗粒的示...
Compositon of Tantalum Nitride Thin Films Grown by Low-Energy Nitrogen Implantation: A Factor Analysis Study of the Ta 4f XPS Core LevelTantalum nitride thin films have been grown by in situ nitrogen implantation\nof metallic tantalum at room temperature over the energy range of 0.5-5keV.\nX-...
进一步地,对改性的NCM811@L7TaO-1wt% 样品进行了XPS深度刻蚀分析,结果表明Ta元素由外到内部呈梯度分布,再次证明了Ta元素掺杂到了NCM811内部。 图4. NCM811@L7TaO-1wt% 正极的表面和内部表征。(a)XPS深度刻蚀L7TaO-1wt% 颗粒的...
(a)XPS深度刻蚀L7TaO-1wt% 颗粒的示意图;随蚀刻深度变化的XPS谱图:(b)Ta 4f; (c)O 1s和(d)C 1s。 要点三:L7TaO包覆掺杂改性对硫化物全固态电池性能的提升 图5a-c为P-NCM811和不同包覆含量的NCM811@L7TaO正极材料在硫化物全固态电池中的首次充放电曲线、首效及倍率性能图。可以看出,L7TaO包覆及Ta掺杂...
图2初始状态,CV 测量后以及 HOR后的Ta-on-NiMo/C的 XPS光谱,(a) Ta 4f、(b) Ni 2p、(c) Mo 3d 和 (d) O 1s。© 2023 ACS publication 图3Ta-on-NiMo/C的XANES 光谱和 FT 幅度,(a, d) Ta L2-edge、(b, e) Ni K-edge 和 (c, f) Mo K-edge。© 2023 ACS publication ...
XPS数据分析进一步证实了La掺杂后Ta3N5薄膜中低价态的Ta3+缺陷的减少,以及氧含量的增加(图2)。因此,由于光吸收的增加,深能级缺陷的减少,以及电导率的提高,厚度仅为100 nm 的La掺杂Ta3N5薄膜光阳极在AM 1.5G模拟阳光下获得了4.40 mA cm-2(@1.23 V versus RHE)的光电流密度,而在相同条件下未掺杂样品的光...
XPS数据分析进一步证实了La掺杂后Ta3N5薄膜中低价态的Ta3+缺陷的减少,以及氧含量的增加(图2)。因此,由于光吸收的增加,深能级缺陷的减少,以及电导率的提高,厚度仅为100 nm 的La掺杂Ta3N5薄膜光阳极在AM 1.5G模拟阳光下获得了4.40 mA cm-2(@1.23 V versus RHE)的光电流密度,而在相同条件下未掺杂样品的光...
XPS数据分析进一步证实了La掺杂后Ta3N5薄膜中低价态的Ta3+缺陷的减少,以及氧含量的增加(图2)。因此,由于光吸收的增加,深能级缺陷的减少,以及电导率的提高,厚度仅为100 nm 的La掺杂Ta3N5薄膜光阳极在AM 1.5G模拟阳光下获得了4.40 mA cm-2(@1.23 V versus RHE)的光电流密度,而在相同条件下未掺杂样品的光...