XPS图谱分析之-Ta4f 图谱分析(金属和氧化态)。我们探究号科技会一直更新包括(XPS/ TOF-SIMS/ FIB/TEM/SEM-EDS/AES/AFM/ FTIR/ GC-MS/ etc)原理、应用、数据分析和材料分析、失效分析相关案例的免费技术纯干货。感谢每一位粉丝的关注和积极反馈!想尽快掌握相关专业知识
ta元素的xps光谱 钽(Ta)是一种过渡金属元素,其X射线光电子能谱(XPS)分析在材料科学、半导体工业及表面化学研究中具有重要应用。XPS技术通过测量材料表面受X射线激发后发射的光电子动能,获得元素的结合能信息,进而分析元素的化学态及周围化学环境。钽元素的电子结构复杂,4f轨道存在自旋轨道分裂,形成特征双峰,结合能范围...
进一步地,对改性的NCM811@L7TaO-1wt% 样品进行了XPS深度刻蚀分析,结果表明Ta元素由外到内部呈梯度分布,再次证明了Ta元素掺杂到了NCM811内部。 图4. NCM811@L7TaO-1wt% 正极的表面和内部表征。(a)XPS深度刻蚀L7TaO-1wt% 颗粒的...
进一步地,对改性的NCM811@L7TaO-1wt% 样品进行了XPS深度刻蚀分析,结果表明Ta元素由外到内部呈梯度分布,再次证明了Ta元素掺杂到了NCM811内部。 图4.NCM811@L7TaO-1wt% 正极的表面和内部表征。(a)XPS深度刻蚀L7TaO-1wt% 颗粒的示...
XPS数据分析进一步证实了La掺杂后Ta3N5薄膜中低价态的Ta3+缺陷的减少,以及氧含量的增加(图2)。因此,由于光吸收的增加,深能级缺陷的减少,以及电导率的提高,厚度仅为100 nm 的La掺杂Ta3N5薄膜光阳极在AM 1.5G模拟阳光下获得了4.40 mA cm-2(@1.23 V versus RHE)的光电流密度,而在相同条件下未掺杂样品的光...
进一步地,对改性的NCM811@L7TaO-1wt% 样品进行了XPS深度刻蚀分析,结果表明Ta元素由外到内部呈梯度分布,再次证明了Ta元素掺杂到了NCM811内部。 图4. NCM811@L7TaO-1wt% 正极的表面和内部表征。(a)XPS深度刻蚀L7TaO-1wt% 颗粒的示意图;随蚀刻深度变化的XPS谱图:(b)Ta 4f; (c)O 1s和(d)C 1s。
XPS数据分析进一步证实了La掺杂后Ta3N5薄膜中低价态的Ta3+缺陷的减少,以及氧含量的增加(图2)。因此,由于光吸收的增加,深能级缺陷的减少,以及电导率的提高,厚度仅为100 nm 的La掺杂Ta3N5薄膜光阳极在AM 1.5G模拟阳光下获得了4.40 mA cm-2(@1.23 V versus RHE)的光电流密度,而在相同条件下未掺杂样品的光...
(c-d) Ta 4f、N 1s 的高分辨XPS图谱。 图4. 中间产物的表征及固体模型 (a,b) 氧化石墨烯/水合氢氧化钽的TEM和HRTEM图像。 (c,d)二维片状TaOx的TEM和HRTEM图像。 (e) 由无定形Ta2O5转化为Ta3N5晶体的过程示意图,其中灰色、红色、蓝色小点分别表示Ta、O、N原子。
图2初始状态,CV 测量后以及 HOR后的Ta-on-NiMo/C的 XPS光谱,(a) Ta 4f、(b) Ni 2p、(c) Mo 3d 和 (d) O 1s。© 2023 ACS publication 图3Ta-on-NiMo/C的XANES 光谱和 FT 幅度,(a, d) Ta L2-edge、(b, e) Ni K-edge 和 (c, f) Mo K-edge。© 2023 ACS publication ...
XPS数据分析进一步证实了La掺杂后Ta3N5薄膜中低价态的Ta3+缺陷的减少,以及氧含量的增加(图2)。因此,由于光吸收的增加,深能级缺陷的减少,以及电导率的提高,厚度仅为100 nm 的La掺杂Ta3N5薄膜光阳极在AM 1.5G模拟阳光下获得了4.40 mA cm-2(@1.23 V versus RHE)的光电流密度,而在相同条件下未掺杂样品的光...