全志官方资料中显示,T113-i能够在不加散热片情况下,依然可在真工业级温度(-40℃ ~ +85℃)下稳定运行,极大保证了工业产品高可靠性的基本要求。 而T113-S3在不加散热片情况下,工作温度范围较小(-25℃ ~ +75℃),并非真工业级。即使加了散热片,T113-S3工作温度范围(-25℃ ~ +85℃)仍无法达到真工业级温...
全志官方资料中显示,T113-i能够在不加散热片情况下,依然可在真工业级温度(-40℃ ~ +85℃)下稳定运行,极大保证了工业产品高可靠性的基本要求。 而T113-S3在不加散热片情况下,工作温度范围较小(-25℃ ~ +75℃),并非真工业级。即使加了散热片,T113-S3工作温度范围(-25℃ ~ +85℃)仍无法达到真工业级温...
T113-i支持128/256/512MByte多种工业级容量DDR3,最大支持2GByte,性能提升与成本控制更灵活,可满足用户多元需求。而T113-S3则固定为128MByte片上内存,不支持扩展,灵活性大大减弱。 在日常项目上,如果应用场景上是有低端机型(128MByte DDR3),也有中高端机型(256/512MByte DDR3),为统一平台、方便管理,那么我...
全志官方资料中显示,T113-i能够在不加散热片情况下,依然可在真工业级温度(-40℃ ~ +85℃)下稳定运行,极大保证了工业产品高可靠性的基本要求。 而T113-S3在不加散热片情况下,工作温度范围较小(-25℃ ~ +75℃),并非真工业级。即使加了散热片,T113-S3工作温度范围(-25℃ ~ +85℃)仍无法达到真工业级温...
T113-i内置高性能、高实时RISC-V从核,而T113-S3则没有。T113-i是双核Cortex-A7 ARM +HiFi4 DSP+C906RISC-V异构多核处理器。其中RISC-V核心主频高达1008MHz,可在该核心上部署工业实时应用,大大提高工业产品性能。 如您的应用场景有非实时应用(无需RISC-V从核),也有实时应用(需RISC-V从核),为统一平台、...
全志T113-S3开发板之串口通信 1308 全志T113-S3网络文件传输使用 770 全志T113-S3板载Linux系统信息查询 699 全志T113-S3开发板—USB两步烧录固件 2692 全志国产处理器T113-i与T113-S3区别解析 4866 全志T113-S3开发板WiFi蓝牙测试 1216 发帖...
图4 T113-i与T113-S3 DDR3可选容量对比 内置RISC-V从核,产品架构更先进区别点3:处理器架构 T113-i内置高性能、高实时RISC-V从核,而T113-S3则没有。T113-i是双核Cortex-A7 ARM + HiFi4DSP+ C906 RISC-V异构多核处理器。其中RISC-V核心主频高达1008MHz,可在该核心上部署工业实时应用,大大提高工业产...
在多种应用场景中,T113-S3都能够满足需求,具有广泛的应用前景。 【结语】 T113-S3是一款高效稳定的入门级嵌入式处理器,具有丰富的接口和广泛的应用场景。其采用6层高密度PCB设计,沉金工艺生产,具有独立的接地信号层,无铅,能够提供稳定...
T113-i内置高性能、高实时RISC-V从核,而T113-S3则没有。T113-i是双核Cortex-A7 ARM + HiFi4 DSP + C906 RISC-V异构多核处理器。其中RISC-V核心主频高达1008MHz,可在该核心上部署工业实时应用,大大提高工业产品性能。 如您的应用场景有非实时应用(无需RISC-V从核),也有实时应用(需RISC-V从核),为统一...
为了更好的满足工业行业在生产操作过程中进行简单的编程和处理输入数据等智能化操作,满足企业对高清化、集成化和智能化交互需求,以入门级HMI方案为例,目前市场多以MCU+RGB屏+电阻触摸屏构成,米尔给出的T113方案相对MCU方案可以带来更多优势。 米尔T113-S3核心板MYC-YT113X采用6层PCB设计,将Nand Flash/eMMC、EEPROM...