型号 STW65N65DM2AG 技术参数 品牌: ST 型号: STW65N65DM2AG 批号: 23+ 数量: 2250 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 60 A Rds On-漏源导通电...
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V Qg-栅极电荷: 27 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 446 W 通道模式: Enhancement 资格: AEC-Q101 配置: Single 高度: 5.15 mm 长度: 20.15 mm 系列: STW65N65DM2AG...
功率晶体管 功率MOSFET N-沟道 (350V 至 700V) MDmesh DM2系列 STW65N65DM2AG STW65N65DM2AG批量生产 储存到myST 汽车级N沟道650 V、42 mOhm典型值、60 A MDmesh DM2功率MOSFET,TO-247封装 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 产品概述 描述 ...
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制造商型号:STW65N65DM2AG 制造商: STMicroelectronics 产品类别:Active 商品描述:MOSFET N-CH 650V 60A 详细说明:- 定价(未税) 数量单价总价 158.3158.31 库存数量:1002 可立即发货发货时间:国内(1~2天)最小起订:1 单价:¥58.31总价:¥58.31