制造商产品型号:STGW50H65DFB2-4 制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics) 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 产品系列:HB2 零件状态:有源 IGBT类型:沟槽型场截止 电压-集射极击穿(最大值):650V 电流-集电极(Ic)(最大值):86A 电流-集电极脉冲(Icm):150A ...
采用TO247-4 封装的沟槽栅极场截止、650 V、50 A 高速 HB2 系列 IGBT 品牌名称ST(意法半导体) 商品型号 STGW50H65DFB2-4 商品编号 C3193696 商品封装 TO-247-4 包装方式 管装 商品毛重 1克(g) 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录IGBT管/模块 ...
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