STW40N60M2 - N沟道600 V、0.078 Ohm典型值、34 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-247封装, STW40N60M2, STMicroelectronics
唯样商城为您提供STMicro设计生产的STW40N60M2 元器件,主要参数为:TO-247-3,STW40N60M2库存充足,购买享优惠!
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号STW40N60M2-VB 商品编号C22357111 商品封装TO-247 包装方式 管装 商品毛重 15克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 600V 属性参数值 连续漏极电流(Id) 32A 导通电阻(RDS(on)) 85mΩ@...
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场效应MOS管STW40N60M2参数 PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:40AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.045ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA 立即咨询 STW40N60M2是一款场效应晶体管(FET),具有广泛的应用场景和参数特点。
唯样编号 F-IPW60R075CPFKSA1 A3-STW40N60M2 制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics 供应商 TME 唯样自营 分类 功率MOSFET 通用MOSFET 描述 MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3 MOSFET N-CH 600V 34A TO247 数据表 IPW60R075CP_rev2.2.pdf en.DM00089185.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合...
唯样编号 F-IPW60R075CPFKSA1 A-STW40N60M2 制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics 供应商 TME 唯样自营 分类 功率MOSFET 通用MOSFET 描述 MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3 MOSFET N-CH 600V 34A TO247 数据表 IPW60R075CP_rev2.2.pdf en.DM00089185.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合...
唯样编号 C-IPW60R075CPFKSA1 A-STW40N60M2 制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics 供应商 海外代购M 唯样自营 分类 功率MOSFET 通用MOSFET 描述 MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3 MOSFET N-CH 600V 34A TO247 数据表 IPW60R075CP_rev2.2.pdf en.DM00089185.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅...
型号 STW40N60M2 SPW35N60C3 唯样编号 D-STW40N60M2 A-SPW35N60C3 制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies 供应商 海外代购D 唯样自营 分类 通用MOSFET 功率MOSFET 描述 MOSFET N-CH 600V 34A TO247 数据表 en.DM00089185.pdf SPW35N60C3.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格...
STW40N60M2 数据手册 STB40N60M2, STP40N60M2, STW40N60M2 N-channel 600 V, 0.078 Ω typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages Datasheet − production data Features TAB TAB Order code 2 VDS @ TJmax RDS(on) max ID 650 V 0.088 Ω 34 A STB...