系列 STW40N60M2 配置 Single 下降时间 11 ns 上升时间 13.5 ns 晶体管类型 96 ns 典型关闭延迟时间 20.5 ns 典型接通延迟时间 6 g 可售卖地 全国 型号 STW40N60M2 PDF资料 单片机/ARM/DSP-其它微处理器-STW40N60M2-ST-TO-247-3-15+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,...
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功率晶体管 功率MOSFET N-沟道 (350V 至 700V) MDmesh M2系列 STW40N60M2 STW40N60M2批量生产 储存到myST N沟道600 V、0.078 Ohm典型值、34 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-247封装 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与...
场效应MOS管STW40N60M2参数 PD最大耗散功率:160WID最大漏源电流:40AV(BR)DSS漏源击穿电压:200VRDS(ON)Ω内阻:0.045ΩVRDS(ON)ld通态电流:20AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA 立即咨询 STW40N60M2是一款场效应晶体管(FET),具有广泛的应用场景和参数特点。
High Power Handling: The STW40N60M2 MOSFET is designed to handle high power applications with a maximum current rating of 34A and a voltage rating of 600V, making it suitable for demanding user applications such as power supplies and motor control systems. Compact Design: This MOSFET features ...
爱企查为您提供深圳市纳睿斯电子科技有限公司STW40N60M2 ST NA 23+ 音频功率放大器 线性稳压芯片 参数等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多总成系、据手册、fdms86300、驱动芯、放大器、数据手、传
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STW40N60M2 N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package Parameters ECCN US EAR99 ECCN EU NEC Packing Type Tube RoHs compliant Ecopack2 Grade Industrial Package Name TO-247 Description These devices are N-channel Power MOSFETs developed using MDmesh...
Product Name Original Integrated Circuit Electronics Components Warranty 1 Year Part number ICchip Service 24 Hours Online Lead time 1-3 Working Days Packaging and delivery Selling Units: Single item Single package size: 10X10X10 cm Single gross weight: 5.000 kg Show more ...