部件名STW28N60DM2 下载STW28N60DM2下载 文件大小1119.65 Kbytes 页20 Pages 制造商STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics] 网页http://www.st.com 标志 功能描述Extremelylowgatechargeandinputcapacitance 类似零件编号 - STW28N60DM2 制造商部件名数据表功能描述 ...
STW28N60DM2 数据表 (HTML) - STMicroelectronics类似零件编号 - STW28N60DM2 制造商 部件名 数据表 功能描述 STMicroelectronics STW28N60M2 1Mb / 21P Extremely low gate charge STW28N60M2 1Mb / 21P N-channel 600 V, 0.135 Ω typ., 22 A MDmesh™ M2 Power MOSFETs in D²PAK, I²PAK,...
立创商城提供VBsemi(微碧半导体)的场效应管(MOSFET)STW28N60DM2-VB中文资料,PDF数据手册,引脚图,封装规格,价格行情和库存,采购STW28N60DM2-VB上立创商城
STW28N60DM2场效应管是一种重要的功率半导体器件,广泛应用于电源管理、电机驱动等领域。它以其高耐压、大电流、低导通电阻等特性而备受青睐。店内主营的STW28N60DM2场效应管,采用TO-247-3封装,具有600V的漏源极击穿电压和22A的连续漏极电流,功率耗散达190W,适合各种高效率、高功率密度的电路设计。如果您在选购场...
型号 STW28N60DM2 R6030JNZ4C13 唯样编号 C-STW28N60DM2 A32-R6030JNZ4C13 制造商 STMicroelectronics ROHM Semiconductor 供应商 海外代购M 唯样自营 分类 未分类 功率MOSFET 描述 通孔N 通道 600 V 21A(Tc) 170W(Tc) TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 30A TO247G 数据表 STW28N60DM2.pdf r6030jn...
制造商编号 STW28N60DM2 制造商 ST(意法半导体) 唯样编号 N-STW28N60DM2 供货 海外代购 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 通孔N 通道 600 V 21A(Tc) 170W(Tc) TO-247-3 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载 STW28N60DM2.pdf 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,...
STW28N60DM2,ST意法场效应管原装供货 关键词 ST意法场效应管MOSFET原装系列 面向地区 全国 主营产品:MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 STM32F030F4P6特性: STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了Arm®皮质®-工作频率为48 MHz...
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型号STW28N60DM2IPW60R190C6 唯样编号A36-STW28N60DM2A-IPW60R190C6 制造商STMicroelectronicsInfineon Technologies 供应商唯样自营唯样自营 分类未分类功率MOSFET 描述通孔 N 通道 600 V 21A(Tc) 170W(Tc) TO-247-3 数据表 STW28N60DM2.pdf IPW60R190C6.pdf ...
型号STW28N60DM2R6030JNZ4C13 唯样编号E-STW28N60DM2A-R6030JNZ4C13 制造商STMicroelectronicsROHM Semiconductor 供应商欧时电子唯样自营 分类未分类功率MOSFET 描述通孔 N 通道 600 V 21A(Tc) 170W(Tc) TO-247-3MOSFET N-CH 600V 30A TO247G