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电子管-场效应管-STW24N60M2-ST-2006+-TO220.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。
型号 STW24N60M2 技术参数 品牌: ST 型号: STW24N60M2 封装: TO-247 批号: 23+ 数量: 7500 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 18 A Rds On-漏源导通电阻...
STW24N60M2由ST设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 STW24N60M2 价格参考￥ 17.7749 。 ST STW24N60M2 封装/规格: TO247, MOSFET N-CH 600V 18A TO247。你可以下载 STW24N60M2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使...
百度爱采购为您找到14家最新的stw24n60m2 封装产品的详细参数、实时报价、行情走势、优质商品批发/供应信息,您还可以免费查询、发布询价信息等。
型号: STW24N60M2 封装: TO-247-3 批次: 22+ 数量: 100000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ II Plus Product Status: 在售 FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A(Tc) 驱动电压(最大 Rds...
FET 类型 N 通道 漏源电压(Vdss) 600 V Vgs(最大值) ±25V 功率耗散(最大值) 150W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 型号 STW24N60M2 翔鸥贸易官方网站:http://xochips.com...
电子管-场效应管-STW24N60M2-ST/意法-TO-247-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格...
功率晶体管 功率MOSFET N-沟道 (350V 至 700V) MDmesh M2系列 STW24N60M2 STW24N60M2批量生产 储存到myST N沟道600 V、0.168 Ohm典型值、18 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-247封装 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 ...
型号 STW24N60M2 PDF资料 电子管-MOSFET-STW24N60M2-ST-TO-247-21+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则...