模型的相关理论原理这里不作描述,直接上代码: 1`include"disciplines.vams"2`include"constants.vams"3moduleSTT-MTJ(p,n,Vstate);4inputp,n;5outputVstate;6electrical p,n,Vstate;7//=== 模型参量初始化 ===8parameterreale =1.6e-19;//电子电荷量, 1.6*10^-19C9parameterrealm =9.1e-31;//电子...
本文基于STT辅助VCMA-MTJ磁化动力学分析,在充分考虑薄膜生长工艺偏差,刻蚀工艺偏差以及软击穿影响的情况下,建立了更为精确的STT辅助VCMA-MTJ电学模型,并将其应用到NV-FA电路中,研究上述工艺偏差以及软击穿对NV-FA写入和输出功能的影响,主要工作如下: 首先,基于STT辅助VCMA-MTJ磁化动力学研究,采用LLG方程和Brinkman电阻...