STPN-5 STPN-15 STPN-20 STPN-30 STPN-50 STPN-60 STPN-150 STPN-500 STPN-1000 放大系数 [-] 0.6 1-1.2 1.8-2 3.5 6 8 12 20 50 研磨筒容量[L] 5 15 20 30 50 60 150 500 1000 加工批量[Vh] 20-150 35-400 50-600 150-1000 200-1200 300-1500 600-3500 >2000 >4000 研磨介质...
STP20NF20 - N沟道200 V、0.10 Ohm典型值、18 A StripFET功率MOSFET,TO-220封装, STP20NF20, STMicroelectronics
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型号 STP6N120K3 深圳市佳联盛芯科技有限公司是一家专营世界各国名牌工业,民用,军用等领域芯片,单片机,场效应管,二三极管,大型供应商。 公司具有多年的销售管理经验,专业销售各种电子元器件,货源充足稳定,灵活的信息渠道,价格实惠。目前公司代理TI,NXP,ON,ATMEGA,ST,ADI,等国际知名品牌,芯片,单片机,场效应管、二...
FET类型 单N沟道 漏源电压(Vdss) 200 漏极电流(Id) 160 漏源导通电阻(RDS On) 0.045 栅源电压(Vgs) 40 栅极电荷(Qg) 40 反向恢复时间 75 最大耗散功率 75 配置类型 增强型 工作温度范围 -50°~150° 安装类型 插件 应用领域 家用电器 可售卖地 全国 型号 STP40NF20 价格说明 价格...
IRF640NPBF和STP20NF20的区别:IRF640NPBF TO-220AB N-Channel 200V 18A;STP20NF20 TO-220 N-Channel 200V 18A 125mΩ 940pF。IRF640NPBF和STP20NF20哪个好:IRF640NPBF INTERNATIONAL RECTIFIER IRF640NPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 18A, TO-220AB 新;STP20NF20 STMICROELECTRONICS STP20NF20 ...
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STP20N60M2-EP - N沟道600 V、0.230 Ohm典型值、13 A MDmesh M2 EP功率MOSFET,TO-220封装, STP20N60M2-EP, STMicroelectronics
STP20N60M2-EP 品牌:ST/意法半导体 年份:2021 封装:TO-220 规格: 数量:34561 浏览次数:15次 上一个:下一个产品下一个:上一个产品 详细资料 规格参数 包装
STP10N62K3和STP20N95K5的区别及替代型号 1. 引言 在现代电子设计中,功率MOSFET(场效应晶体管)被广泛应用于各种电源管理和开关应用。STP10N62K3和STP20N95K5是意法半导体(STMicroelectronics)公司生产的两款功率MOSFET。这两款器件在特性和应用上有一些不同,适用于不同的电路设计需求。本文将详细介绍这两款器件...