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STP10NM60N - N沟道600 V、0.53 Ohm典型值、10 A MDmesh II功率MOSFET,TO-220封装, STP10NM60N, STMicroelectronics
厂家直营STP10N60M2TO-220 N沟道 MOS场效应管 7.5A 600V 深圳市壹芯微科技有限公司7年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥2.50 STP10N60M2封装TO-220-3 N 通道 600 V 7.5A MOS场效应管 深圳市雅迪斯电子有限公司9年 月均发货速度:暂无记录 ...
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型号STP10NK60Z 品牌ST意法 封装TO-220 类型N沟道 漏源电压(Vdss)600V 连续漏极电流(Id)10A 功率(Pd)115W 阈值电压4.5V@250uA 导通电阻750mΩ@4.5A,10V --- 产品详情 --- 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: Yes 技术: Si ...
型号 STP10NK80Z 包装 管装 最小包装量 1000 封装 TO-220-3 批号 23+ 数量 30000 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 800 V Id-连续漏极电流 9 A Rds On-漏源导通电阻 900 mOhms Vgs - 栅极-源极电压 - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈值电压 3 ...
STP80NF10FP - N沟道100V - 0.012Ohm - 80A - TO-220FP低栅极电荷STripFET(TM)功率MOSFET, STP80NF10FP, STMicroelectronics
STP10N60M2由ST设计生产,在华秋商城现货销售,并且可以通过chip1stop等渠道进行代购。 STP10N60M2 价格参考￥ 27.346 。 ST STP10N60M2 封装/规格: SOT78, MOSFET N-CH 600V TO-220。你可以下载 STP10N60M2 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MOSFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和...
STP10NB20是意法半导体(STMicroelectronics)公司生产的一种N沟道功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。这种器件因其优越的电性能和广泛的应用场景而受到工程师们的青睐。下面详细介绍STP10NB20的应用场景和参数特点。 一、应用场景: ...