STP80NF10 - N沟道100V - 0.012Ohm - 80A - TO-220低栅极电荷STripFET(TM) MOSFET, STP80NF10, STMicroelectronics
STP60NF10 - N-CHANNEL 100V - 0.019Ohm - 80A D2PAK/TO-220/I2PAK STripFET™ II Power MOSFET, STP60NF10, STMicroelectronics
全新原装ST/意法 STP10NK60Z N沟道MOSFET场效应管封装TO-220-3 深圳市芯钰同电子有限公司 3年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.01 开关电源管系列 STP4NK60ZFP TO-220F 600V 4A ST/意法 现货 深圳市坤廷电子有限公司 16年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.55...
产品名称:N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET 厂商:ST 生产批号:10+ 封装:TO-220 库存状态:有库存 库存量:8000 最低订购量:1 详细资料: 产品介绍 分享到: STP120NF10N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET ...
型号 STP3N150 技术参数 品牌: ST 型号: STP3N150 封装: TO-220 批号: 21+ 数量: 10000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV Id-连续漏极电流: 2.5 A Rds On-漏源...
产品名称:N/A 厂商:ST 生产批号:05+ 封装:TO-220 库存状态:有库存 库存量:5000 最低订购量:0 详细资料: 产品介绍 分享到: STP100NF10N/A由ST原厂生产,采用TO-220封装,批号05+,微芯百年集成电路仓库目前有库存 与STP100NF10相关的IC还有: 型号厂商批号封装说明 ...
制造商:STMicroelectronics产品种类:MOSFETRoHS:Yes技术:Si安装风格:ThroughHole封装/箱体:TO-220-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1ChannelVds-漏源极击穿电压:600VId-连续漏极电流:10ARdsOn-漏源导通电阻:750mOhmsVgs-栅极-源极电压:-30V,+30VVgsth-栅源极阈值电压:3VQg-栅
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 标准 漏源极电压(Vdss) : 1050V(1.05kV) 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 6A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 1.3 欧姆 @ 3A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 21.5nC @ 10V 不同Vds时的...
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