N沟道100V - 0.024Ohm - 50A - TO-220低栅极电荷StripFET II MOSFET 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 产品概述 描述 所有功能 精选 产品 特别推荐 描述 This N-channel 100 V Power MOSFET is the latest development of STMi...
N沟道100V - 0.024Ohm - 50A - TO-220低栅极电荷StripFET II MOSFET Order Direct 产品概述 描述 This N-channel 100 V Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique "single feature size" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low ...
STP10N60M2MOSFET场效应管 650V 7.5A TO-220AB N通道 全新现货 深圳市亿科泰电子科技有限公司6年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥4.00 原装STSTP10N60M2丝印10N60M2 TO-220 场效应管N沟道 IC芯片 深圳市芯盛伟业科技有限公司1年
深圳市福田区沃嘉泰电子商行10年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥3.00 全新原装 STP10NK60Z P10NK60Z 直插TO-220 N沟道 MOS场效应管 深圳市珺麟电子有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.80 原装正品质量保证 STP60NF06 P60NF06 场效应管 60V60A 直插TO220 ...
产品名称:N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET 厂商:ST 生产批号:10+ 封装:TO-220 库存状态:有库存 库存量:8000 最低订购量:1 详细资料: 产品介绍 分享到: STP120NF10N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET ...
型号 STP3N150 技术参数 品牌: ST 型号: STP3N150 封装: TO-220 批号: 21+ 数量: 10000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV Id-连续漏极电流: 2.5 A Rds On-漏源...
部件名: STP10N105K5. 下载. 文件大小: 724Kbytes. 页: 18 Pages. 功能描述: Ultra low gate charge. 制造商: STMicroelectronics.
STP40N10N/A由ST原厂生产,采用TO-220封装,批号05+,微芯百年集成电路仓库目前有库存与STP40N10相关的IC还有:型号厂商批号封装说明 C0402KRX7R9BB222 YAGEO N/A 0402 222K FQB2N60BU Fairchild 05+ TO-263 N/A 7870 ROHM 2003 BGA 全新现货 KIA7045AF KEC 04+ SOT-89 全新原装 TLC274IDR TI 97+ SOP...
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 标准 漏源极电压(Vdss) : 1050V(1.05kV) 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 6A(Tc) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 1.3 欧姆 @ 3A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 21.5nC @ 10V 不同Vds时的...
唯样商城为您提供STMicro设计生产的STP10N105K5 元器件,主要参数为:6A(Tc) 30V 130W(Tc) 1.3 Ohms@3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220 N-Channel 1050V 6A,STP10N105K5库存充足,购买享优惠!