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电子管-场效应管-STP80NF70-ST-TO-220-19+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。
STP80NF70 ST Microelectronics (意法半导体) MOS管 N沟道68 V, 0.0082 I© , 98 , TO- 220 STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET N-channel 68 V, 0.0082 Ω, 98 A, TO-220 STripFET⢠II Power MOSFET查看详情 TO-220-3
STP80NF70由ST设计生产。STP80NF70封装/规格:配置/单路:阈值电压/4V:晶体管类型/N沟道:功率耗散/190W:额定功率/190W:充电电量/75nC:栅极源极击穿电压/±20V:极性/N-沟道:元件生命周期/Active:引脚数/3Pin:高度/13.08mm:长x宽/尺寸/10.40 x 4.60mm:原始制造商/STMicroelectronics:类型/1个N沟道:输入电容/...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号STP80NF70-VB 商品编号C7463568 商品封装TO-220 包装方式 管装 商品毛重 2.726克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 60V 连续漏极电流(Id) 120A 导通电阻(RDS(on)) - 耗散功率(Pd) 1...
STP80NF70 STP80NF70 N-channel 68 V, 0.0082 Ω, 98 A, TO-220 STripFET™ II Power MOSFET 3 June 2009 Rev 11/12 www.st.com