STP80NF55-08 - N沟道55V - 0.0065Ohm - 80A - TO-220 StripFET(TM) II功率MOSFET, STP80NF55-08, STMicroelectronics
STP80NF55-08 ST Microelectronics (意法半导体) MOS管 STMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V查看详情 TO-220-3 16周 在产 2004年 ¥5.317 数据手册(9) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (10)...
STP80NF55-08-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET),适用于多种高功率电子设备和应用领域,具有以下主要应用: 1. **电源开关:** STP80NF55-08-VB可用作电源开关,用于控制电路中的电流流动。它的高电流容忍能力和低导通电阻使其在高功率应用中非常有效。
STMicroelectronicsSTP80NF55-08 358Kb/15PN-channel 55 V - 0.0065 廓 - 80 A - TO-220 - D2PAK - TO-247 STripFET??Power MOSFET STP80NF55-08 368Kb/15PN-channel 55 V, 0.0065 廓, 80 A, TO-220, D2PAK, TO-247 STripFET??Power MOSFET ...
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STP80NF55-08 STW80NF55-08 55 V 55 V 55 V < 0.008Ω80 A < 0.008Ω80 A < 0.008Ω80 A 3 2 1 TO-247 TO-220 ■Standard threshold drive 3 1 Application D²PAK ■Switching applications Description Figure 1. Internal schematic diagram ...
品牌名称 ST(意法半导体) 商品型号 STP80NF55-08 商品编号 C2688553 商品封装 TO-220 包装方式 管装 商品毛重 0.26克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)55V 连续漏极电流(Id)80A ...
SPP80N06S2L-05和STP80NF55-08,对比:SPP80N06S2L-05 封装:TO-220-3-1,引脚:3,功耗:300W (Tc),输入电容:7.53 nF,额定电压:55.0 V,极性:N-Channel,漏源极电压:55 V,额定电流:80.0 A,连续漏极电流:80.0 A,工作温度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),栅电荷:230 nC,安装方式:Through Hole,包装:Tube,含铅标准...
STP80NF55L-08 STB80NF55L-08 - STB80NF55L-08-1 N-CHANNEL 55V - 0.0065Ω - 80A - TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET™ II POWER MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) STP80NF55L-08 STB80NF55L-08 STB80NF55L-08-1 55 V 55 V 55 V 0.008Ω 0.008Ω 0.008Ω s TYPICAL...
型号 STP80NF55-08 产品详情 技术参数 品牌: ST 型号: STP80NF55-08 批号: 16+ 封装: TO-220 数量: 272 QQ: 474333421 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 过渡期间 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击...