STP11NM80 场效应管 ST(意法半导体) 封装TO220-3 批次22+ STP11NM80 20000 ST(意法半导体) TO220-3 22+ ￥2.5000元10~99 个 ￥0.8700元100~999 个 ￥0.8600元>=1000 个 深圳市智芯惠科技有限公司 1年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 STP11NM80 场效应管 ST/意法半导体 封装TO-220 ...
全新原装现货 STP11NM80 800V 场效应管 TO-220 深圳市福田区新亚洲电子市场二期嘉能源电子经营部16年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥2.50成交200PCS STP11NM80 直插TO-220封装MOS场效应管 深圳市春姿科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 ...
型号 STP11NM80 技术参数 品牌: ST 型号: STP11NM80 封装: TO220 批号: 23+ 数量: 7500 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 800 V Id-连续漏极电流: 11 A Rds...
STP11NM80是STMicroelectronics公司生产的一款高压功率MOSFET,具有广泛的应用场景和优越的参数特点。本文将详细介绍STP11NM80的应用场景和参数特点。 一、应用场景: 1. 开关电源(SMPS):STP11NM80在开关电源中,作为开关器件使用,其高压特性和低导通电阻使其能够高效地进行能量转换和调节,确保电源的高效稳定运行。 2...
系列 STP11NM80 晶体管类型 1 N-Channel 宽度 4.6 mm 商标 STMicroelectronics 正向跨导 - 最小值 8 S 下降时间 15 ns 产品类型 MOSFET 上升时间 17 ns 工厂包装数量 1000 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 46 ns 典型接通延迟时间 22 ns 单位重量 1.438 g 可售卖地 全国 类型 MOSFET 型号 STP11NM80 产...
型号 STP11NM80IC 深圳市皓星电子有限公司成立于2013年。是深圳市安德会公益爱心团创始人之一,是一家专业化电子元件供应商,具有丰富的IC芯片的销售经验.公司主要经营 TI ST SILICON LABS ADI等世界知名品牌。公司以“信誉谋发展,顾客至上”为经营理念,秉承“质量第一,价格合理,服务至上”的宗旨,竭诚为广大客户提...
型号 STP11NM80 技术参数 品牌: ST/意法 型号: STP11NM80 封装: TO-220 批次: 2021+ 数量: 1000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商: STMicroelectronics 系列: MDmesh™ FET 类型: N 通道 漏源电压(Vdss): 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc) 驱动电压(最...
系列 STP11NM80 晶体管类型 MOSFET 典型关闭延迟时间 22 ns 典型接通延迟时间 4.6 mm 宽度 2 g 可售卖地 全国 型号 STP11NM80 本公司 深圳市凯翔微科技有公司 主要为客户提供BOM配单服务,服务客户已经十年。拥有优秀配单员工,可以帮助厂方配置各种电子元件单,采购方案。同时,利用我司销售多年电子元件...
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型号: STP11NM80 批号: 18+ 封装: TO-220 数量: 888 QQ: 2355656828 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 800 V Id-连续漏极电流: 11 A Rds On-漏源导...