STP110N8F6是一款N沟道MOSFET功率晶体管,具有广泛的应用场景和优秀的参数特点。下面将分开详细介绍其应用场景和参数特点。 一、应用场景: 1. 通信设备:STP110N8F6在通信设备中用于功率开关和电源管理,保护设备免受电压尖峰和电流冲击的影响。 2. 汽车电子:在电动汽车的电动驱动系统中,STP110N8F6用作关键的功率开关...
型号 STP110N8F6 技术参数 品牌: ST/意法半导体 型号: STP110N8F6 数量: 15573 制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 110 A Rds On-漏源导...
FHS100N8F6A成功代替了STP110N8F6,进而在许多全国13串锂电池保护板企业中能够取得广泛实施。乐意告诉清楚其详细技术参数: 1、具有120安电流、85v电压 2、快速的开关能力 3、正向最大连续电流:80A 4、N沟道场效应晶体管 5、最高栅源电压:±20V 6、阈值电压:2.0-4.0V 意望提升增进13串锂电池保护板电路的转换...
ST(意法半导体) 商品型号 STP110N8F6 商品编号 C81146 商品封装 TO-220 包装方式 管装 商品毛重 2.9321克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)80V 连续漏极电流(Id)110A 导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V,55A ...
当前的实际形势和状况,需要求助纯国产中低压SGTMOSFET工厂供应FHD100N8F6A型号的中低压SGTMOSFET用在BMS保护板国产替代STP110N8F6型号SGTMOSFET使用。 1、正向最大脉冲电流:320A 2、最高栅源电压:±20V 3、快速的开关能力 4、具有120A电流、85V电压 5、静态导通电阻RDS(ON):5.3mΩ(Typ)、6.5mΩ(Max) 6、...
唯样商城为您提供STMicro设计生产的STP110N8F6 元器件,主要参数为:±20V 200W(Tc) 6.5mΩ@55A,10V -55°C~175°C(TJ) TO-220 N-Channel 80V 110A,STP110N8F6库存充足,购买享优惠!
@深圳市米斯尼科技有限公司STP110N8F6场效应管 深圳市米斯尼科技有限公司 场效应管STP110N8F6是一款高性能的n沟道场效应管,广泛应用于电子设备和汽车系统中。其主要特点包括高功率、高分辨率和低信噪比。这款场效应管具备优良的性能参数,如功率可达到100W,工作温度范围为30℃,外形尺寸为细长的金属封装。该管的重量...
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价格 (元) 库存 进货数量 按袋装起批,一袋装=1000个 STP110N8F6 200 80 110 4.5 0 196421 0个| 0元 已选清单 立即订购 加入进货单 收藏产品 品牌 ST 批号 拆机 应用领域 保护板 控制器 转换器 规格 STP110N8F6 反向恢复时间 / 导电方式 增强型 种类 绝缘栅(MOSFET) 特别提醒: 由于本公司拥有库...
发货地 广东东莞 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 STP110N8F6、 功率MOS管、 功率场效应管、 大功率MOS管、 大功率场效应管 商品图片 商品参数 品牌: ST/意法半导体 漏源电压(Vdss): 80V 连续漏极电流(Id): 110A 功率(Pd): 200W 导通电阻: 6.5mΩ 阈...