第四十六章 FLASH模拟EEPROM实验 1）实验平台：正点原子探索者STM32F407开发板 2) 章节摘自【正点原子】...
1、在写函数时关掉了擦除扇区功能，FLASH_ErasePage(flash_add);函数可以在一个区块内完成数据在不同...
if (norflash_buf[secoff + i] != 0XFF) { break; /* 需要擦除, 直接退出for循环 */ } } if (i < secremain) /* 需要擦除 */ { norflash_erase_sector(secpos); /* 擦除这个扇区 * for (i = 0; i < secremain; i++) /* 复制 */ { norflash_buf[i + secoff]...
void writeFlash(u32 address,u8 *data,u16 size) { FLASH_EraseInitTypeDef FlashSet; HAL_StatusTypeDef FlashStatus = HAL_OK; u16 tmpbuf; u16 i; u32 PageError = 0; //解锁FLASH HAL_FLASH_Unlock(); //擦除FLASH //第一次写入之前调用擦除函数进行擦除,后续无需再调用,否则会吧之前写入的数据擦...
int EraseSector (unsigned long adr); // Erase Sector Function int ProgramPage (unsigned long adr, // Program Page Function unsigned long sz, unsigned char *buf); Optional Flash Programming Functions (Called by FlashOS): int BlankCheck (unsigned long adr, // Blank Check ...
NAND FLASH 的地址分为三类：块地址（ Block Address）、页地址（ Page Address）和列地址（ Column ...
int EraseSector (unsigned long adr); // Erase Sector Function int ProgramPage (unsigned long adr, // Program Page Function unsigned long sz, unsigned char *buf); Optional Flash Programming Functions (Called by FlashOS): int BlankCheck (unsigned long adr, // Blank Check ...
向地址510写入1个字节数据:PageWrite(&temp3, 510, 1) (这里已经是写到下一页了) 下面是将从0地址到511地址读取出来的512个字节数据,一行32字节。 32.3.4 W25QXX扇区擦除 SPI Flash的擦除支持扇区擦除(4KB),块擦除(32KB或者64KB)以及整个芯片擦除。对于扇区擦除和块擦除,使用的时候要注意一点,一般情况下...
第454行代码： SCB->VTOR = FLASH_BASE | VECT_TAB_OFFSET;通过看后面注释可知，该行是用于app程序...
static int erase(long offset, size_t size); static sfud_flash_t sfud_dev = NULL; struct fal_flash_dev gd25q32 = struct fal_flash_dev w25q128 = { .name = "GD25Q32", .name = "W25Q128", .addr = 0, .len = 4 * 1024 * 1024, .len = 16 * 1024 * 1024, .blk_size = 409...