STM32F103 读写内部FLASH STM32F103C8T6最小系统开发板使用HAL固件库读写内部FLASH 本文将介绍如何使用STM32F103C8T6最小系统开发板,利用HAL固件库实现对内部FLASH的读写操作。通过详细的硬件设计、FLASH读写原理、软件设计及操作步骤,帮助大家快速上手。 1.硬件设计...
例如,在HAL库中,可以使用以下函数来进行Flash的读写操作: HAL_FLASH_Unlock(): 解锁Flash以允许擦除和编程操作。 HAL_FLASH_Erase_Page(uint32_t Page_Address): 擦除指定的页。 HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data): 在指定的地址编程数据(TypeProgram指定了编程的...
本次使用RT-Thread studio编写,使用为5.02完整版,目的是将内部flash进行分区,可以直接在内部flash存储数据。 一、功能配置 首先是打开设置里的FAL组件,因为我这里不需要外部内存,SFUD驱动就没打开: 然后是配置两个参数,一个在board.h里,定义BSP_USING_ON_CHIP_FLASH,一个是在stm32xxxx_hal_config.h里定义HAL_FL...
7V to 3.6V], the operation will* be done by byte */if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM...
HAL_FLASH_Program，该函数声明如下：HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint...
内部flash我们参照HAL库或者标准库，直接调用ST公司给我们封装好的库进行编程就可以了，这里我用的是标准...
(flash_status == FLASH_COMPLETE); i++) { flash_status = FLASH_ProgramWord(address,buffdata[i]); address = address + 4; } //上锁 FLASH_Lock(); if(flash_status == FLASH_COMPLETE) { return TRUE; } return FALSE; } //从指定地址读取固定长度数据 void FlashRead(u32 readaddr,u32 * ...
_t*dest,uint32_tLen){/* USER CODE BEGIN 3 */uint32_ti=0;for(i=0;i<Len;i+=4){/* Device voltage range supposed to be [2.7V to 3.6V], the operation will* be done by byte */if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,(uint32_t)(dest+i),*(uint32_t*)(src+i))==HAL_...
在STM32F103中,可以使用HAL库提供的函数来进行Flash存储器的编程和擦除操作。首先需要初始化Flash模块,包括设置Flash存储器的写保护和解锁,然后才能进行编程和擦除操作。 编程操作可以通过调用HAL库提供的函数进行,例如HAL_FLASH_Unlock()函数用于解锁Flash存储器,HAL_FLASH_Program()函数用于将数据编程到Flash存储器的目...
}//开始写数据uint32_t startAddressIndex = PAGE_START_ADDRESS + (1024*paramSizeKb);//startAddressIndex += 8,写入位置,每次+8是因为存储的类型是uint64_t,占用64bit,8字节for(inti =0; i < len;i ++ , startAddressIndex +=8) {//写入数据HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, startAddres...