这段代码首先解锁Flash以允许编程,然后使用HAL_FLASH_Program函数将数据写入指定的地址,最后重新锁定Flash以防止意外写入。 通过STM32CubeMX或其他工具配置Flash存储器和相关引脚: 使用STM32CubeMX配置项目,选择适当的时钟配置和Flash设置。 确保相关的引脚配置正确,以便与外部设备(如调试器)通信。 编译并生成可
// 写入32位数据到指定地址 void FLASH_Write(uint32_t address, uint32_t data) { // 1.解锁FLASH FLASH_Unlock(); // 2.擦除页,以便写入 FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_11, FLASH_VOLTAGE_RANGE_3); // 擦除目标页 // 3.写入数据 if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address, ...
本次使用RT-Thread studio编写,使用为5.02完整版,目的是将内部flash进行分区,可以直接在内部flash存储数据。 一、功能配置 首先是打开设置里的FAL组件,因为我这里不需要外部内存,SFUD驱动就没打开: 然后是配置两个参数,一个在board.h里,定义BSP_USING_ON_CHIP_FLASH,一个是在stm32xxxx_hal_config.h里定义HAL_FL...
7V to 3.6V], the operation will* be done by byte */if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM...
HAL_FLASH_OB_Unlock();HAL_FLASHEx_OBProgram(&OBInit);HAL_FLASH_OB_Lock();HAL_FLASH_Lock();...
HAL_FLASH_Program，该函数声明如下：HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint...
(flash_status == FLASH_COMPLETE); i++) { flash_status = FLASH_ProgramWord(address,buffdata[i]); address = address + 4; } //上锁 FLASH_Lock(); if(flash_status == FLASH_COMPLETE) { return TRUE; } return FALSE; } //从指定地址读取固定长度数据 void FlashRead(u32 readaddr,u32 * ...
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, WriteAddr, pBuffer[i]);WriteAddr += 2; //地...
在STM32F103中,可以使用HAL库提供的函数来进行Flash存储器的编程和擦除操作。首先需要初始化Flash模块,包括设置Flash存储器的写保护和解锁,然后才能进行编程和擦除操作。 编程操作可以通过调用HAL库提供的函数进行,例如HAL_FLASH_Unlock()函数用于解锁Flash存储器,HAL_FLASH_Program()函数用于将数据编程到Flash存储器的目...
}//开始写数据uint32_t startAddressIndex = PAGE_START_ADDRESS + (1024*paramSizeKb);//startAddressIndex += 8,写入位置,每次+8是因为存储的类型是uint64_t,占用64bit,8字节for(inti =0; i < len;i ++ , startAddressIndex +=8) {//写入数据HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, startAddres...