在程序中设置Flash存储器的起始地址。可以定义一个常量来表示Flash存储器的起始地址,例如: 1 #define FLASH_BASE_ADDR 0x08004000 // 要保存的地址从0x08004000开始 3、计算存储器地址 在写入参数前,计算参数要保存的地址。可以定义一个变量(或常量)表示参数在Flash中的偏移量,例如: 1 #define PARAMS_OFFSET 0x...
*/// 根据中文参考手册,大容量产品的每一页是2K字节#ifSTM32_FLASH_SIZE < 256#defineSTM32_SECTOR_SIZE 1024// 字节#else#defineSTM32_SECTOR_SIZE 2048#endif// 一个扇区的内存u16 STM32_FLASH_BUF[STM32_SECTOR_SIZE /2];voidMed_Flash_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite){ u32 se...
for(EraseCounter=0;(EraseCounter《NbrOfPage)&&(FLASHStatus==FLASH_COMPLETE);EraseCounter++) { FLASHStatus=FLASH_ErasePage(StartAddr+(PageSize*EraseCounter)); } //开始写数据 Address = StartAddr; i=0; while((Address《EndAddr)&&(FLASHStatus==FLASH_COMPLETE)) { FLASHStatus=FLASH_ProgramWord(Ad...
void FLASH_WriteMoreData(uint32_t startAddress,uint16_t *writeData,uint16_t countToWrite) { if(startAddress<FLASH_BASE||((startAddress+countToWrite*2)>=(FLASH_BASE+1024*FLASH_SIZE))) { return;//非法地址 } FLASH_Unlock(); //解锁写保护 uint32_t offsetAddress=startAddress-FLASH_BASE; ...
以STM32F407VET6为例内存参数如下: FLASH(闪存):512 KB。 SRAM(运行内存):192 KB+4KB. 1、FLASH(闪存) 地址范围:0x08000000-0x0807FFFF STM32F407VET6的FLASH(闪存)共分为8个扇区,每个扇区起始地址及空间大小分配情况如下,写操作前要先对flash进行擦除,擦除的最小单位为扇区。所以存储BOOT和APP的代码的FLA...
③存储芯片的数据线宽度(MWID),FSMC支持8位/16位两种外部数据总线宽度; ④对于NOR Flash(PSRAM),是否采用同步突发访问方式(BURSTEN); ⑤对于NOR Flash(PSRAM),NWAIT信号的特性说明(WAITEN、WAITCFG、WAITPOL); ⑥对于该存储芯片的读/写操作,是否采用相同的时序参数来确定时序关系(EXTMOD)。
STM32 芯片内部的 FLASH 存储器,主要用于存储我们代码。 如果内部FLASH存储完我们的代码还有剩余的空间,那么这些剩余的空间我们就可以利用起来,存储一些需要掉电保存的数据。 本文以STM32103ZET6为例。STM32103ZET6属于大容量产品,其闪存模块组织如下: 其主存储器大小为512KB,分为256页,每页大小都为2KB。我们的程...
STM32的CRC单元可以用于通信协议、数据存储、远程升级等应用场景,提供硬件支持,节省代码空间和CPU时间。它也可以用于验证Flash的完整性,通过在IAR中配置CRC计算参数,自动对整个Flash空间进行CRC计算,并将结果放在Flash末尾。 https://blog.csdn.net/ybhuangfugui/article/details/109831213 ...
SPI。1、W25Q128是华邦公司推出的一款SPI接口的NORFlash芯片,其存储空间为128Mbit,相当于16M字节。W25Q128可以支持SPI的模式0和模式3,也就是CPOL=0/CPHA=0和CPOL=1/CPHA=1这两种模式。2、写入数据时,需要注意以下两个重要问题: ①、Flash写入数据时和EEPROM类似,不能跨页写入,一次最多 ...