(1) 往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY1 = 0x45670123 (2) 再往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB3.2、数据操作位数 在内部 FLASH 进行擦除及写入操作时,电源电压会影响数据的最大操作位数,该电源电压可通过配置 FLASH_CR 寄存器中的 PSIZE 位改变,见下表。 最大操
*/// 根据中文参考手册,大容量产品的每一页是2K字节#ifSTM32_FLASH_SIZE < 256#defineSTM32_SECTOR_SIZE 1024// 字节#else#defineSTM32_SECTOR_SIZE 2048#endif// 一个扇区的内存u16 STM32_FLASH_BUF[STM32_SECTOR_SIZE /2];voidMed_Flash_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite){ u32 se...
在程序中设置Flash存储器的起始地址。可以定义一个常量来表示Flash存储器的起始地址,例如: 1 #define FLASH_BASE_ADDR 0x08004000 // 要保存的地址从0x08004000开始 3、计算存储器地址 在写入参数前,计算参数要保存的地址。可以定义一个变量(或常量)表示参数在Flash中的偏移量,例如: 1 #define PARAMS_OFFSET 0x...
FSMC(Flexible Static Memory Controller,可变静态存储控制器)是STM32系列中内部集成256 KB以上Flash,后缀为xC、xD和xE的高存储密度微控制器特有的存储控制机制。之所以称为“可变”,是由于通过对特殊功能寄存器的设置,FSMC能够根据不同的外部存储器类型,发出相应的数据/地址/控制信号类型以匹配信号的速度,从而使得STM32...
这就需要考虑这些参数保存的问题。将这类数据存在指定的位置,需要修改时直接修改存储位置的数值,需要使用时则直接读取,会是一种方便的做法。考虑到这些数据量比较少,使用专门的存储单元既不经济,也没有必要,恰好有些MCU拥有比较大的FLASH,使用少量来存储这些参数则既方便有经济。STM32F4的Flash架构如下:...
W25Q64是为系统提供一个最小空间、最少引脚,最低功耗的串行Flash存储器,25Q系列比普通的串行Flash存储器更灵活,性能更优越。 W25Q64支持双倍/四倍的SPI,可以储存包括声音、文本、图片和其他数据;芯片支持的工作电压 2.7V 到 3.6V,正常工作时电流小于5mA,掉电时低于1uA,所有芯片提供标准的封装。
Page是NANDFlash的最小读写单位。一个Page包括若干个Byte。 Chip >Die > plane > block > page pageSZblockPNplaneBNdiePNdieNumber=ChipSZ; 已华邦的W29N02GVSIAA为例: 2K64102421= 256MB; 1.6 芯片ID 每个厂家的ID内容都有一些不同,但是关键参数基本是一致的,所以在做兼容的时候需要以芯片厂家为单位做区分...
stm32f103zet6怎么保存flash参数 STM32的闪存模块由:主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。 主存储器,该部分用来存放代码和数据常数(如 const 类型的数据)。对于大容量产品,其被划分为 256 页,每页 2K 字节。注意,小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就...
例如,如果你的某段控制代码或者运行代码的某些参数并非是最优的,需要在运行中调节,你就可以通过指定该常量的存储地址并且在之后的运行与自我修正中不停 的覆盖,就可以闪现代码的自我优化。 第一stm32,flash介绍 stm32的烧录后的程序起始地址是从 0x0800 0000开始的,但是起始地址是从0x0000 0000,根据芯片名字及明...