void FLASH_WriteMoreData(uint32_t startAddress,uint16_t *writeData,uint16_t countToWrite) { if(startAddress<FLASH_BASE||((startAddress+countToWrite*2)>=(FLASH_BASE+1024*FLASH_SIZE))) { return;//非法地址 } FLASH_Unlock(); //解锁写保护 uint32_t offsetAddress=startAddress-FLASH_BASE; ...
一般来说单片机的内存指的是FLASH和RAM，当在程序中定义了全局变量、局部变量、只读变量等参数时...
容量为64M bit = 8M Byte(8M 字节),而AT24C02 EEPROM才只有256字节,存储容量简直不是一个量级,这个FLASH和stm32内部的FLASH性质一样,适合存储语音、文本和数据。 W25Q64BV阵列分为32,768个可编程页面,每页256字节。 一次最多可编程256个字节。 可以以16个组(4KB扇区擦除),128个组(32KB块擦除),256个组(64K...
STM32通过ADC模拟看门狗实现掉电保存 很多时候我们需要将程序中的一些参数、数据等存储在EEPROM或者Flash中,达到掉电保存的目的。但有些情况下,程序需要频繁的修改这些参数,如果每次修改参数都进行一次保存,那将大大降低存储器的寿命 2022-11-17 09:14:50 ...
一、Flash简介 快闪存储器(flash memory),是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。它是一种非易失性存储器,即断电数据也不会丢失。 二、STM32F1的Flash STM32F103ZET6的Flash大小为512KB,属于大容量产品。在中文参考手册中给出了大容量产品的Flash模块组织结构图 ...
1、STM32芯片内部的FLASH存储器,主要用于存储我们代码。如果内部FLASH#储完我们的代码还有剩余的空间,那么这些剩余的空间我们就可以利用起来,存储一些需要掉电保存的数据。本文以STM32103ZET6例。STM32103ZET6于大容量产品,具闪存模块组织如下:块名称名称地址薨围地址薨围长度长度( (字节字节) )贝0DxOaOD00000 x...
③存储芯片的数据线宽度(MWID),FSMC支持8位/16位两种外部数据总线宽度; ④对于NOR Flash(PSRAM),是否采用同步突发访问方式(BURSTEN); ⑤对于NOR Flash(PSRAM),NWAIT信号的特性说明(WAITEN、WAITCFG、WAITPOL); ⑥对于该存储芯片的读/写操作,是否采用相同的时序参数来确定时序关系(EXTMOD)。
STM32L4x1芯片内部的Flash存储器内存分布如下: STM32L431RCT6的Flash容量是256KB,所以只有Bank1,有128页,每页2KB。 解锁/上锁Flash操作 擦除或者写入内部Flash的时候,需要先解锁再操作,操作完毕之后上锁: HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void); ...
stm32内部flash存参数好。内部Flash存储参数具有以下几个优点：1、持久性：内部Flash是一种非易失性存储器，意味着保存在其中的参数在断电后依然可以保持。2、可编程性：STM32的内部Flash可以通过编程方式进行擦写和写入操作，因此可以方便地更新参数或配置。3、速度快：内部Flash存储器速度相对较快，可以...