1、在Flash 密钥寄存器(FLASH_KEYR) 中写入KEY1 = 0x4567012 2、在Flash 密钥寄存器(FLASH_KEYR) 中写入KEY2 = 0xCDEF89AB 将FLASH_CR 寄存器中的LOCK 位置为1 后,可通过软件再次锁定FLASH_CR 寄存器 ST提供了库函数 备注: 当FLASH_SR 寄存器中的BSY 位置为1 后,将不能在写模式下访问FLASH_CR 寄存器。
复位后,Flash控制器寄存器(FLASH_CR)不允许写入的,去保护Flash闪存因为电气原因出现的以外操作,以下是解锁的步骤 1、在Flash 密钥寄存器(FLASH_KEYR) 中写入KEY1 = 0x45670123 2、在Flash 密钥寄存器(FLASH_KEYR) 中写入KEY2 = 0xCDEF89AB 将FLASH_CR 寄存器中的LOCK 位置为1 后,可通过软件再次锁定FLASH_CR ...
if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_1) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_0)) { sector = FLASH_Sector_0; } else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_2) && (Address >= ADDR_FLASH_SECTOR_1)) { sector = FLASH_Sector_1; } else if((Address < ADDR_FLASH_SECTOR_3) && (Address >= ADDR_...
往FLASH_OPTKEYR中写入 KEY1 = 0x45670123 再往FLASH_OPTKEYR中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB 配置FLASH_CR的OPTPG位,准备修改选项字节 直接使用指针操作修改选项字节的内容,根据需要修改RDP、WRP等内容 对于读保护的解除,由于它会擦除FLASH的内容,所以需要检测状态寄存器标志位以确认FLASH擦除操作完成。 若是设置读保...
向指定的 FLASH 存储器地址执行数据写入操作,每次只能以 16位的方式写入; 等待BSY 位被清零时,表示写入完成; 闪存编程手册中的描述: 操作内部Flash的库函数 解锁+ 上锁 void FLASH_Unlock(void) { /* Authorize the FPEC of Bank1 Access */ FLASH->KEYR = FLASH_KEY1; ...
⑥ 选择字节寄存器(FLASH_OBR)⑦ 写保护寄存器(FLASH_WRPR)其中 FPEC 键寄存器总共有 3 个键值：RDPRT 键=0X000000A5 KEY1=0X45670123 KEY2=0XCDEF89AB STM32 复位后， FPEC 模块是被保护的，不能写入 FLASH_CR 寄存器；通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块（即写入 KEY1 和KEY2...
1. 解锁 (固定的KEY值) (1) 往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY1 = 0x45670123 (2) 再往 Flash 密钥寄存器 FLASH_KEYR 中写入 KEY2 = 0xCDEF89AB 2. 数据操作位数 最大操作位数会影响擦除和写入的速度,其中 64 位宽度的操作除了配置寄存器位外,还需要在 Vpp 引脚外加一个 8-9V 的电压源...
在STM32F4的编程手册上可找到FLASH的Sector划分,我们现在只操作Main memory: 参考Demo中的例子,将FLASH的页的其实地址(基地址)可定义如下: #define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((uint32_t)0x08000000) #define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((uint32_t)0x08004000) ...
1.解除Flash锁 复位后,闪存擦写控制器模块是被保护的,不能写入FLASH_CR寄存器, 通过写入两个关键字(KEY1,KEY2)到FLASH_KEYR寄存器打开闪存擦写控 制器,才可以进行其他闪存操作。其中KEY1为0x45670123,KEY2为0xCDEF89AB。 编程如下: FLASH->KEYR = FLASH_KEY1; ...
(1)进行解锁操作 STM32 的闪存编程是由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理 ,这个模块包含的寄存器如下: STM32 复位后, FPEC 模块是被保护的, 不能写入 FLASH_CR 寄存器; 通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块(即写入 KEY1 和KEY2) , 只有在写保护被解除后, 我们才能操作相关寄存...