1、在Flash 密钥寄存器(FLASH_KEYR) 中写入KEY1 = 0x45670123 2、在Flash 密钥寄存器(FLASH_KEYR) 中写入KEY2 = 0xCDEF89AB 将FLASH_CR 寄存器中的LOCK 位置为1 后,可通过软件再次锁定FLASH_CR 寄存器 ST提供了库函数 FLASH_Unlock();//解锁FLASH_Lock();//重新上锁 备注: 当FLASH_SR 寄存器中的BSY ...
当LOCK位为1时,对FLASH_KEYR的任何错误写操作(第一次不是KEY1,或第二次不是KEY2),都将会导致闪存锁的彻底锁死,一旦闪存锁彻底锁死,在下一次复位前,都无法解锁,只有复位后,闪存锁才恢复为一般锁住状态。 复位后,LOCK位默认为1,闪存锁有效,此时,可以进行解锁。解锁后,可进行FLASH的擦除编程工作。任何时候,...
我们在电脑上编写好应用程序后,使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部FLASH中,由于FLASH存储器的内容在掉电后不会丢失,芯片重新上电复位后,内核可从内部FLASH中加载代码并运行。 除了使用外部的工具(如下载器)读写内部FLASH外,STM32芯片在运行的时候,也能对自身的内部FLASH进行读写,因此,若内部FLASH存储了应用...
Ⅳ、FLASH编程说明 STM32F0系列芯片中页的大小都是规则的,也就是说都是1K或许2K大小(如图:F0_FLASH),学过其他系列芯片的人可能知道,在其他很多芯片中也有不是规则的,如F2、F4中基本都不是规则的(如图:F4_FLASH),有的一块16K、128K等不规则。这样的芯片对于今天提供的工程就不适用,今天提供工程适用于内部FLASH...
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data) 1. 2.4、中断 如果对于写入要求较高,可以使能中断,对于写入完成,写入错误都会有响应的中断响应。我也没有详细研究,参看Flash编程手册的15.5章节 03、Flash保护 3.1概述 Flash具有读写保护机制,主要是用过选项地址实现的。还有一次性编程保护 ...
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data) 2.4、中断 如果对于写入要求较高,可以使能中断,对于写入完成,写入错误都会有响应的中断响应。我也没有详细研究,参看Flash编程手册的15.5章节 03、Flash保护 3.1概述 Flash具有读写保护机制,主要是用过选项地址实现的。还有一次性编程保护 ...
void FLASH_ReadNWord(uint16_t* pBuffer, uint32_t ReadAddr, uint16_t nWord); 相信经常编程的人都明白函数接口的意思(我的命名规则还是算比较人性化的),就是和常见的访问外部FLASH一样,不会覆盖数据,我已经在实际工作中应用而且商业化了。 主要在地址“ADDR”处写一个标志位,在地址“ADDR + 1”连续写...
上位机通过串口信号(即DTR、RTS,注意不是数据)控制你的开发板的一键下载电路完成boot0的低电平启动(没有自动下载电路的话你就要手动完成这一步了),完成下载(也就是0x0800 0000那块FLASH写BIN文件数据)之后,上位机再次产生复位信号,开始运行新程序。可能你选择的是hex数据,这样不影响你更新新程序,因为他俩存储的...
FLASH_StatusFLASH_ProgramWord(uint32_tAddress,uint32_tData) 2.4、中断 如果对于写入要求较高,可以使能中断,对于写入完成,写入错误都会有响应的中断响应。我也没有详细研究,参看Flash编程手册的15.5章节 03Flash保护 3.1概述 Flash具有读写保护机制,主要是用过选项地址实现的。还有一次性编程保护 ...
FLASH_StatusFLASH_ProgramWord(uint32_tAddress,uint32_tData) 2.4、中断 如果对于写入要求较高,可以使能中断,对于写入完成,写入错误都会有响应的中断响应。我也没有详细研究,参看Flash编程手册的15.5章节 03 Flash保护 3.1概述 Flash具有读写保护机制,主要是用过选项地址实现的。还有一次性编程保护 ...