STM32 的 Flash 和 RAM 地址范围 笔者标题所说的内存是指 STM32 的 Flash 和 RAM,下图是 ARM Cortex M3 的地址映射图: 从图中我们可以看到 RAM 地址是从 0x2000 0000 开始的,Flash地址是从 0x0800 0000 开始的,笔者将在下文中着重对这两部分进行剖析。 Flash 代码和数据是存放在 flash 中的,下面是将 ...
内部SRAM：通常映射到地址0x20000000开始的范围，大小取决于芯片型号。Flash存储器：通常映射到地址0x08000000开始的范围，大小取决于芯片型号。外部SDRAM：通常映射到地址0xC0000000开始的范围，可以通过设置片上存储控制器（例如FMC）的配置寄存器来定义其大小和其他参数。这种地址映射方案有助于通过简单的基址偏...
stm32f103c8t6的FLASH是64K byte.地址从0x0800000到0x08010000,1K byte为一页
stm32l431内部flash容量为256KB。根据查询相关资料信息，STM32L431RCT6芯片的片内Flash存储区的大小为256KB，地址范围为：0x0800_0000-0x0803_FFFF。
主要是第二个readonly data memory占用空间太大了，根据网上查找的，第一个加第二个合起来是flash 的...
前几天做stm32f103c8的flash读写操作，发现stm32f103的flash并不是到0x0800FFFF截止（64K），结果可以一直写到0x0801FFFF，我是可以写可以读。我很清楚的是我的片子是C8不是CB，而且没有外置扩展FLASH。我写的地址是0x081FC00.其他地址也试过了，均是可写可读的（128KB范围内）。
支持位带操作的两个内存区的范围是: 0x2000_0000‐0x200F_FFFF(SRAM 区中的最低 1MB) 0x4000_0000‐0x400F_FFFF(片上外设区中的最低 1MB) 位带别名区地址=(A&0xF0000000)+0x2000000+(A&0xFFFFF)<<5+(n≤2) 其中A为位带区地址,n为该字节的第几位。
1、STM32L051内部存储模块地址范围 2、读写函数的设计 2.1读取函数 2.2 EEPROM写函数 2.3 Flash写函数 2.4读写EEPROM的后续问题 总结 本文测试L051 flash的读写,用来处理以后应用中的掉电数据保存。 1、STM32L051内部存储模块地址范围 开始找到F103的FLASH图复习了一遍,然后L051C8T6,64KB的flash,然后我惊奇的发现...
Flash操作包括读取、擦除和写入。读取时，利用CortexM3的数据总线，通过32位地址访问Flash。擦除有扇区和批量两种方式，写入前需先擦除，并需解锁Flash控制器。ST提供了相应的库函数进行操作，需注意电压范围对数据访问的影响。中断机制允许对写入操作进行更高控制，写入完成和错误时会触发中断。至于Flash保护...