具体到STM32H750XBHx型号，您可以确认它是否支持Dual-bank模式，通过查看STMicroelectronics的官方数据手册...
按照手册说法，single bank是单一flash区域，最小擦除是4k，dual bank是支持双flash区域，一边操作不影响...
双Bank切换图像 二.跳转APP机制 Flash配置为Dual bank mode(DBANK = 1),在Bank1的起始位置(0x0800 0000)放置Bootloader的中断向量表,在Bank2的其实位置(0x0804 0000)放置Bootloader的中断向量表。 正常情况下系统复位时会从Bank1启动,0x0800 0000对应为Bootloader复位向量,首先运行的代码为Bootloader。Bootloader跳转APP...
为了确保正常业务的持续化运行,需要使用具有双Bank Flash结构的MCU。 3、Dual-Bank Flash、具有地址重映射功能的MCU 此类MCU将连续的Flash空间划分为两个Bank,这两个Bank在硬件层面可以独立工作,即某个Bank进行擦写时,不影响另一个Bank的读取。 同时可以通过SYSCFG寄存器的配置调整两个Bank的地址映射关系。以STM32L476...
Dual bank Flash Crystal-less USB 10mA High sink I/Os (170mA 全部I/Os) <100µA/MHz 运行模式 Stand-by <1µA with RTC @room Stop 5µA @ room Shutdown mode Robust EMC/ESD/EMS 32 / 48 / 64 / 80 / 100 pins ▲STM32G0B1框图 ...
memory dual bank mode Introduction With the growing demand of applications such as mobile communications and automotive systems which have strict real-time needs, it is necessary to access critical information about the system functionality before the completion of a Flash memory erase/program operation...
我用的芯片是STM32F765VGT6,内部flash大小是1M,配置为了dual bank模式,现在参照STM32F767ZI-Nucleo的flash擦写例程,对bank1可以正常擦写,bank2只能在整片擦除后才能写,无法对单个扇区进行擦除。找不到问题在哪里,求助一下大家。 相关代码如下: HAL_FLASH_Unlock(); HAL_FLASH_OB_Unlock(); FlashErasePage(ADD...
STM32G0C1 / G0B1 / G0B0是最可承担起的512K Flash的STM32,是“小封装大存储”的强力整合,特性包括: USB data + UCPD (type-C & Power Delivery) FDCAN x2 Dual-bank Flash: 固件升级,同时读写 高达8 U(S)ART (6xUSART + 2 LPUART)
429 FLASH 为1M, 我想配置为dual bank, 每块512M. 设置DB1M成功。现在想擦除dual bank 15 sector, 即 #define ADDR_FLASH_SECTOR_15 ((uint32_t)0x0808C000) 。结果擦除不了。 可是如果不用dual bank, 单独擦除 8 sector 128K(含dual bank 15 sector 16K), 结果却正常。 请问谁用过dual bank。 这个...
uint32_t Page; /*!< Initial Flash page to erase when page erase is disabled This parameter must be a value between 0 and (max number of pages in the bank - 1) (eg : 255 for 1MB dual bank) */ uint32_t NbPages; /*!< Number of pages to be erased. ...