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STGW80H65DFB, STGWT80H65DFB Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT 3 2 1 TO-247 TAB TO-3P 3 2 1 Features • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C • High speed switching series • Minimized tail current • Low saturation voltage: VCE(...
STGWA80H65DFB 种类 IGBT晶体管 品牌 Original 封装类型 倾角 其他属性 安装类型 通孔 描述 STGWA80H65DFB晶体管 原产地 China 封装/外壳 TO-247AD 类型 分立半导体产品 工作环境温度 -55 °C ~ 175 °C (TJ) 系列 晶体管 D/C 新建 应用 IGBT晶体管 ...
650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT 下载数据手册 Order Direct 概述 样片和购买 文件 CAD资源 工具与软件 质量与可靠性 产品概述 描述 This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which repre...
这款三极管STGWA80H65DFB具有令人瞩目的性能,其工作电压高达650伏,工作电流则达到了80安培,而功耗仅为469瓦。更令人惊讶的是,它的最小包装竟然包含了240只单管。 这款三极管的出色表现,使得…
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