FET 类型 N 通道 漏源电压(Vdss) 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 120W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 ...
FET类型 单N沟道 漏源电压(Vdss) 100 漏极电流(Id) 125 漏源导通电阻(RDS On) 80 栅源电压(Vgs) 73 栅极电荷(Qg) 73 反向恢复时间 73 最大耗散功率 73 配置类型 增强型 工作温度范围 -55℃-175℃ 安装类型 贴片 应用领域 家用电器 可售卖地 全国 型号 STD100N10LF7AG 价格说明 ...
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STD100N3LF3 - N沟道30 V、0.0045 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) II功率MOSFET,DPAK封装, , STMicroelectronics
1+询价 领券 1000-50 自营库存:0 个(一整包装有2500个) 货期:7-9工作日发货 商品重量:0.00010000kg 购买数量: -+ 合计:¥0 订货数量: 合计:0 订货数量: 合计:0 订货数量: 合计:18.14 品牌: VBsemi(微碧半导体)(授权代理) 商品型号:STD100N03LT4-VB ...
制造商产品型号:STD100N03LT4 制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics) 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:STripFET? 零件状态:停产 FET类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 25°C时电流-连续漏极(Id):80A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小...
STD100N10F7-STMICROELECTRONICS-晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 4.5 V. 现在就预定 STD100N10F7! 质优价廉, 发货迅速的 STMICROELECTRONICS 现货产品。
STD100N03L Brand New Original In stock Winsome IC All electronics Electronic Components Package SOP/SMD/DIP/QFP/QFN/BGA... Type Integrated Circuits Packaging and delivery Packaging Details Reel or Tube Pack Supply Ability Supply Ability 100000 Piece/Pieces per Month Winsome Show more Ratings...
管道std，标准壁厚等级由美标引申过来的。纠正一点上面的，SCH40，和SCH80表示的也是壁厚等级，一般SCH40的壁厚等级正好与美标里面的标准壁厚等级数据一样所以通常STD和SCH40是同个壁厚的。主要是不同规格管道在采用管件时候关键的壁厚不能确定需要查表，表给的就是管件壁厚的一些系列的数，这些系列的...
STD100N10F7-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应晶体管(Power MOSFET),封装为TO252。该器件在电源开关、电源管理、和其他需要N型沟道的高电流应用中有着广泛的应用。 详细参数说明:1. **沟道类型:** N—Channel,适用于需要N型沟道的高电流电源开关和管理电路设计。2. **最大耐压:** 100V,适用于中等电压...