FET 类型 N 通道 漏源电压(Vdss) 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 80A(Tc) 不同Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250µA Vgs(最大值) ±20V 功率耗散(最大值) 120W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 ...
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FET类型 单N沟道 漏源电压(Vdss) 100 漏极电流(Id) 125 漏源导通电阻(RDS On) 80 栅源电压(Vgs) 73 栅极电荷(Qg) 73 反向恢复时间 73 最大耗散功率 73 配置类型 增强型 工作温度范围 -55℃-175℃ 安装类型 贴片 应用领域 家用电器 可售卖地 全国 型号 STD100N10LF7AG 价格说明 ...
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STD100N10F7-VB是一款N—Channel沟道的功率场效应晶体管(Power MOSFET),封装为TO252。该器件在电源开关、电源管理、和其他需要N型沟道的高电流应用中有着广泛的应用。 详细参数说明:1. **沟道类型:** N—Channel,适用于需要N型沟道的高电流电源开关和管理电路设计。2. **最大耐压:** 100V,适用于中等电压...
STD100N10F7-STMICROELECTRONICS-晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 4.5 V. 现在就预定 STD100N10F7! 质优价廉, 发货迅速的 STMICROELECTRONICS 现货产品。
全新原装现货 STD100NH02 24V 场效应管 TO-252 深圳市福田区新亚洲电子市场二期嘉能源电子经营部 16年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.45 STD100NH02LT4 TO252 N沟道 24V 60A MOS场效应管 100NH02L 原装 深圳市福田区新亚洲电子市场二期金启盛电子商行 7年 月均发货速度: 暂...
型号:STD100NH02LT4 品牌:STMICROELECTRONICS 封装:SOT428 描述:表面贴装型 N 通道 24 V 60A(Tc) 100W(Tc) DPAK 国内价格 香港价格 2500+8.421962500+1.01127 库存:8582 去购买 型号:STD100NH02LT4 品牌:STMICROELECTRONICS 封装:SOT428 描述:表面贴装型 N 通道 24 V 60A(Tc) 100W(Tc) DPAK 国内价格 ...
1、STD80N450K6800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高电压N通道功率MOSFET,具有齐纳保护功能以及100%通过雪崩测试。该MOSFET还具有超低栅极电荷、±30V栅极-源极电压、 83W总功耗、全球RDS(ON) x区域以及全球品质因数(FOM)。该MOSFET的工作结温范围为-55°C至150°C,采用 DPAK (TO-252) A2型封装。典型应用包...