意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出S系列 1200V IGBT绝缘栅双极晶体管。当开关频率达到8kHz时,新系列双极器件的导通和关断综合损耗创市场新低,大幅度提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业电机等类似设备的电源转换效率。 新...
新系列产品的额定工作电压为1200V,可用于440V或480V的交流线电压。结合现有的600V低损耗IGBT产品线,新器件将协助意法半导体打造业内最齐全的功率晶体管产品组合。 STGW30N120KD和STGW40N120KD分别用于30A和40A电机驱动器。这两款产品均已量产并公开销售。 详情请登录意法半导体公司网站:www.stmicroelectronics.com.c...
意法半导体(ST)发佈碳化硅产品创新成果,协助系统厂商研发能够将太阳能转化成电网电能的高能效电子设备。 意法半导体已于近期在美国佛罗里达州举办的2012年国际太阳能展览会暨研讨会(Solar Power International 2012)展出1200V碳化硅二极体。该产品可取代DC-DC升压转换器和DC-AC逆变器所用的一般二极体,把太阳能模组的低压...
批量生产 储存到myST 1200 V,12 A超高速二极管 下载数据手册 Order Direct 产品概述 描述 The high quality design of this diode has produced a device with low leakage current, regularly reproducible characteristics and intrinsic ruggedness. These characteristics make it ideal for heavy duty applications tha...
制造商 STMicroelectronics FET 类型 N 通道 漏源电压(Vdss) 1200 V Vgs(最大值) ±30V 功率耗散(最大值) 250W(Tc) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263A 可售卖地 全国 类型 分立半导体产品 晶体管 - FET,MO...
品牌: ST 型号: STGWA40N120KD 封装: TO-247 批号: ★新年份★ 数量: 259167 描述: IGBT 1200V 80A 240W TO247 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 详细描述: IGBT-1200V-80A-240W-通孔-TO-24...
品牌 ST 批号 22+ 封装 TO-247 数量 60000 最小包装 600 电压 1200V 支持 提供技术和整套方案 电流 40A 服务 售后保障 Packaging Tube 种类 IGBT 应用领域 光伏逆变 替代型号 NGTB40N120FL2WG 库存 以实际咨询为准 可售卖地 全国 型号 STGWA40H120DF2 内部示意图: Features: Ma...
证券时报e公司讯,从业内获悉,三安光电旗下湖南三安碳化硅MOSFET方面已推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET。其中,1700V/1000mΩ MOSFET主要使用在光伏逆变器的辅助电源,1200V/75mΩ MOSFET主要应用于新能源汽车的OBC,两款产品均处于客户端导入阶段,将逐步批量供货;1200V/16mΩ车规级芯片已在战略客户处进行模块验...
电子管-场效应管-STP6N120K3-ST/意法-TO-220-21+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格...
STFW8N120K5 - N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-3PF封装, STFW8N120K5, STMicroelectronics