ST 的SiC二极管显示了显著的功耗降低,通常用于硬开关应用,如高端服务器和电信供电,它还能用于太阳能逆变器、电机驱动器和无中断供电(UPS)。 ST 的汽车级650 V SiC二极管 – 具有AEC-Q101认证和PPAP能力 – 具有市场上最低的前向压降(VF),在电动车辆(EV)应用中具有最优的效率。 主要特性: 高效功率转换
该款碳化硅(SiC)二极管可采用TO-220AC, DPAK HV, D²PAK 和 DO-247 LL封装,是一款超高性能的功率肖特基二极管,并使用碳化硅基板制造。宽带隙材料可用于设计1200 V额定电压的低VF(正向压降)肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。ST...
新一代SiC MOSFET将提供750V和1200V的额定值，以支持400V和800V的电池总线电压。800V的解决方案将使得电动车的充电时间更短，续航里程更长。目前，750V版本的新MOSFET已完成认证，而1200V型号预计将在2025年第一季度完成认证，随后将迅速投入市场。此外，这些MOSFET还可广泛应用于太阳能逆变器、储能系统和数据中心等...
之小型且高效的产品将于2025年展现能量,进一步将碳化硅技术从顶级车款拓展至中型和小型电动车.意法半导体计划将于2027年前在碳化硅技术推出多项创新,包括一项颠覆性技术.服务横跨多重电子应用领域的全球半导体领导厂商意法半导体(ST Microelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)正式推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)...
2021年3月22日,STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品,可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET,工作电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压,将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V,满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。如果电源电压低引起驱动电压太低,UVLO保护机制将确保MOSFET处于关...
除了SiC，ST还在投资GaN HEMT系统级芯片。对于GaN封装，ST有一条清晰的产品路线图，涵盖充电器和其它看重功率密度的所有设备和应用。当然，ST也有非常清晰的GaN分立器件市场战略，瞄准3mΩ-120mΩ电阻区间的100 V和650 V两块市场。作为智能功率技术的发明者，ST将继续引领绿色节能技术发展趋势，充分利用碳化硅、氮化镓...
器件可用作反激辅助电源的钳位、缓冲和续流二极管，也可用作自举驱动器功能的高频整流器，同时可为最新快速开关IGBT和高压Si/SiC MOSFET 提供去饱和保护。VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0112HM3、VS-E7FX0212-M3 和 VS-E7FX0212HM3 的典型应用包括工业驱动器和工具、电动汽车( EV )车载充电器和电机、发电和储能系统...
该逆变器设计方案支持高达200KW的功率输出，其核心组件包括英飞凌的CoolSiC Easy模块和三电平Easy模块。这些模块不仅提供了卓越的功率密度，还简化了制造过程，大大提高了便利性。此外，Easy模块系列完备，覆盖600V/650V/1200V的电压范围，以及6A至200A的电流全功率段，满足了不同应用的需求。在逆变器的工作过程中，...
器件可用作反激辅助电源的钳位、缓冲和续流二极管,也可用作自举驱动器功能的高频整流器,同时可为最新快速开关IGBT和高压Si/SiC MOSFET 提供去饱和保护。 VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0112HM3、VS-E7FX0212-M3 和 VS-E7FX0212HM3 的典型应用包括工业驱动器和工具、电动汽车( EV )车载充电器和电机、发电和储能系统...
碳化硅(SiC)二极管的使用大大提高了太阳能逆变器、电机驱动、不间断电源和电动车电路的效率和稳定性。 意法半导体提议在600V到1200V的电压范围内采用单二极管和双二极管(封装尺寸从DPAK到TO-247),包括陶瓷绝缘型TO-220,以及超薄的紧凑型PowerFLATTM 8x8,具有优异的热性能,是高电压(HV)表面贴装(SMD)封装的新标准,...