ST 的SiC二极管产品系列电压范围从600到1200 V,具有可忽略的开关损耗以及比标准硅二极管低15%的前向压降(VF)。
ST 的SiC二极管产品系列电压范围从600到1200 V,具有可忽略的开关损耗以及比标准硅二极管低15%的前向压降(VF)。
其新 22KW 伺服驱动参考板就采用了6个Acepack SMIT半桥1200V 50A IGBT为伺服应用供电。 ST电源模块产品包括DMT32 SiC模块和采用ACEPAK 1&2 塑料封装的模块。DMT 32 是一个双列直插模塑通孔 32 针电源模块，专为电源和电机控制应用量身定制。DMT32顶部使用氮化铝材料，确保更高的导热性和非常低的热阻率，以及...
新一代SiC MOSFET将提供750V和1200V的额定值，以支持400V和800V的电池总线电压。800V的解决方案将使得电动车的充电时间更短，续航里程更长。目前，750V版本的新MOSFET已完成认证，而1200V型号预计将在2025年第一季度完成认证，随后将迅速投入市场。此外，这些MOSFET还可广泛应用于太阳能逆变器、储能系统和数据中心等...
ST 展示的功率密度接近 350 kW/l、基于 SiC 的牵引逆变器。意法半导体(ST)参加了 "Automotive World 2024"(2024 年 1 月 24 日至 26 日,东京有明国际展览中心),该公司将碳化硅(SiC)器件从原材料到晶圆、模块和系统进行垂直整合,是此次活动的一大亮点、 该公司将碳化硅(SiC)器件从原材料到晶圆、模块和系统...
2021年3月22日,STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品,可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET,工作电源电压高达1200V。 STGAP2SiCS能够产生高达26V的栅极驱动电压,将欠压锁定(UVLO)阈压提高到15.5V,满足SiC MOSFET开关管正常导通要求。如果电源电压低引起驱动电压太低,UVLO保护机制将确保MOSFET处于关...
Today power electronics experts know that 1200V SiC MOSFET can replace 1200V silicon IGBTs allowing frequency range enlargement up to dozens of kHz. What will happen in the power conversion field if new SiC MOSFET technologies, featuring extremely low RDS(on)xQg Figure-of-Merit, will be ...
除了SiC，ST还在投资GaN HEMT系统级芯片。对于GaN封装，ST有一条清晰的产品路线图，涵盖充电器和其它看重功率密度的所有设备和应用。当然，ST也有非常清晰的GaN分立器件市场战略，瞄准3mΩ-120mΩ电阻区间的100 V和650 V两块市场。作为智能功率技术的发明者，ST将继续引领绿色节能技术发展趋势，充分利用碳化硅、氮化镓...
器件可用作反激辅助电源的钳位、缓冲和续流二极管，也可用作自举驱动器功能的高频整流器，同时可为最新快速开关IGBT和高压Si/SiC MOSFET 提供去饱和保护。VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0112HM3、VS-E7FX0212-M3 和 VS-E7FX0212HM3 的典型应用包括工业驱动器和工具、电动汽车( EV )车载充电器和电机、发电和储能系统...
器件可用作反激辅助电源的钳位、缓冲和续流二极管,也可用作自举驱动器功能的高频整流器,同时可为最新快速开关IGBT和高压Si/SiC MOSFET 提供去饱和保护。 VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0112HM3、VS-E7FX0212-M3 和 VS-E7FX0212HM3 的典型应用包括工业驱动器和工具、电动汽车( EV )车载充电器和电机、发电和储能系统...