2,SSTL电平分析 如果大家用过DDR1/2/3 SDRAM,那么必然在UT测试阶段测量过其数据/地址/控制信号质量(SI测试),对SSTL电平的标准必然不会陌生。 1. 如下图所示为DDR4单端(Single-ended)信号的电平标准; 1, 高/低电平有两个电平标准: AC和DC;当信号穿越AC值时确立了信号进入了高/低电平,而当信号反向穿越DC值...
SSTL电平标准是针对SSTL库中信号电平的规定,主要包括以下几种: 1. SSTL-1:这是SSTL库中最早的一种电平标准,适用于当时的工艺和速度要求。SSTL-1电平标准定义了两种电压范围:0至3.3V和0至5V。 2. SSTL-2:随着工艺和速度的提高,SSTL-2电平标准应运而生。SSTL-2电平标准扩展了SSTL-1的电压范围,增加了1.8V、...
SSTL阈值电平是指在SSTL标准下用于表示逻辑高电平和逻辑低电平的电压水平。在SSTL标准中,通常定义了逻辑高电平(VDDQ)和逻辑低电平(VSSQ)的电压范围。在DDR SDRAM中,SSTL_2和SSTL_18是两种常见的SSTL标准。SSTL_2的逻辑高电平范围为0.9V至1.2V,逻辑低电平范围为0.0V至0.3V;SSTL_18的逻辑高电平范围为1.125V至...
描述 本篇主要介绍常用的单端逻辑电平,包括TTL、CMOS、SSTL、HSTL、POD12等。 1、TTL电平 下面以一个三输入的TTL与非门介绍TTL电平的原理。 三输入TTL与非门 当输入全1时,uI=3.6V,VT1处于倒置工作状态(集电结正偏,发射结反偏),uB1=0.7V×3=2
5. SSTL电平的特殊处理：SSTL电平的一个特点是，当信号电压高于VIH(DC)时，即使有所波动，也被视为稳定，这与CMOS/TTL的处理方式不同。6. VREF的细分：VREF进一步细分，如地址/控制线的VREFCA和数据线的VREFDQ，具体要求需要参考相关设计图。7. DDR4的电平标准：对于DDR4，差分信号如CK_t/CK_c的...
SSTL电路结构包括输出和输入部分，如图所示，输出为高或低时的电流方向决定了输入电压的要求。对于SSTL电平， DDR总线通常采用1个控制器驱动多片颗粒，线路匹配有单端和差分两种方式。DDR4信号电平标准包括单端和差分信号，各有AC和DC电平要求，与传统的CMOS或TTL电平有显著区别。而在HCSL和LPHCSL方面，HCSL...
差分信号的直流分量由驱动器输出结构决定,典型SSTL驱动器采用电流源架构,在逻辑高电平时向传输线注入特定电流,逻辑低电平时吸收同等电流。这种对称设计理论上可使两条信号线的平均电压保持恒定,但实际应用中受工艺偏差、温度漂移等因素影响,直流分量会呈现微小波动。JESD8-8A标准规定,SSTL_18规范的直流共模电压范围需控制...
SSTL电平标准的主要应用是在DDR SDRAM存储接口上。一般情况下,CPU和DDR颗粒都默认采用标准的SSTL电平,因此不需要进行电平匹配的检查。然而,该电平标准与DRAM接口有紧密的绑定关系,所以该逻辑电平与DRAM的标准协议相关。例如,SSTL25 I/O标准用于DDR SDRAM存储器接口,而SSTL18 I/O标准则用于DDR2 SDRAM存储器接口。此外...
1.SSTL电平标准概述 1.8V（SSTL18）、1.5V（SSTL15）和1.35V（SSTL135） I/O 标准用于一般目的...
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