SSTL135 I/O标准用于DDR3L SDRAM存储器接口; SSTL12支持DDR4 SDRAM存储器接口; DDR5 SDRAM存储器接口支持PODL电平(1.1V)。 1,SSTL基本电路结构 如下图所示为典型的SSTL逻辑的输出和输入电路结构; 输出结构与LVTTL驱动并无差别,通过上下晶体管的轮流导通输出高、低电平; SSTL输入是差分结构,因此输入提供了比较好的...
在DDR SDRAM中,SSTL_2和SSTL_18是两种常见的SSTL标准。SSTL_2的逻辑高电平范围为0.9V至1.2V,逻辑低电平范围为0.0V至0.3V;SSTL_18的逻辑高电平范围为1.125V至1.575V,逻辑低电平范围为0.0V至0.4V。 在实际应用中,SSTL阈值电平的选择取决于具体的系统设计需求、芯片规格和接口要求。正确的SSTL阈值电平的选择可以...
DDR使用的就是SSTL电平标准。 SSTL与LVTTL驱动器没有太多的不同,但是输入缓冲却非常不同。SSTL输入是差分对,因此输入级提供较好的电压增益以及较稳定的阈值电压,这使得对小的输入电压摆幅具有比较高的可靠性。 SSTL-2输出及匹配电路 STL对于不同类型的驱动器有不同的参数。SSTL_3和SSTL_2定义了2类驱动器,以区别...
1. SSTL逻辑电平的优势：SSTL电平，如SSTL25和SSTL18，是DDR SDRAM接口标准的优选。其优势在于无需额外的电平匹配，从而简化了设计。该设计的核心是差分输出和输入设计，这确保了电压增益的稳定性。2. 信号输出与接收：在信号输出时，通过精密电阻匹配来确保信号质量。在接收端，VTT被设计为上拉至线路阻...
SSTL逻辑电平,全称Stub Series Termination Logic,是一种SSTL逻辑电平,全称Stub Series Termination Logic,是一种经常被使用于存储器接口的电平标准。这个电平标准最早被定义在多个不同的JEDEC标准中,包括JESD8-8,JESD8-9B和JESD8-15。 SSTL电平标准的主要应用是在DDR SDRAM存储接口上。一般情况下,CPU和DDR颗粒都默认...
对于SSTL电平， DDR总线通常采用1个控制器驱动多片颗粒，线路匹配有单端和差分两种方式。DDR4信号电平标准包括单端和差分信号，各有AC和DC电平要求，与传统的CMOS或TTL电平有显著区别。而在HCSL和LPHCSL方面，HCSL是点对点电流驱动，而LPHCSL通过推-拉电压驱动以降低功耗，具有更好的长线驱动性能和成本效益...
1.1 SSTL18标准 SSTL18 I/O标准用于DDR2SDRAM存储器接口。Class I类型只能用于单向拓扑，不支持双向...
SSTL主要用于DDR存储器。和HSTL根本相同。Vnot;not;CCIO=2.5V,输入为输入为比较器结构,比较器一端接参考电平1.25V,另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。 HSTL和SSTL大多用在300M以下。 RS232接受±12-15V供电,我们电脑后面的串口即为RS232标准。+12V表示0,-12V表示1。可以用MAX3232等专用芯片转换...
网上除了在DDR III及FPGA的文档中，找不到任何关于SSTL 15的信息，不知JEDEC为何迟迟没有放出文档。在...
SSTL主要用于DDR存储器。和HSTL基本相同。V¬¬CCIO=2.5V,输入为输入为比较器结构,比较器一端接参考电平1.25V,另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1%精度)。 HSTL和SSTL大多用在300M以下。 RS232采用±12-15V供电,我们电脑后面的串口即为RS232标准。+12V表示0,-12V表示1。可以用MAX3232等专用芯片转换,...