当前主流的存储器主要包含动态随机存储器(DRAM)、静态随机存储器(SRAM)、以及闪存(Flash),他们都是依靠电荷来实现数据存储的。其中, DRAM 和 SRAM 都是易失性存储器,即电路掉电后数据无法保留。而 DRAM 具有高密度的优点,但是其静态功耗较高,通常作为内存来使用;SRAM 具有速度快和低功耗的优点,通常用来作为片上...
(一)PC端、移动端、服务器端为DRAM主要需求来源。根据中国信息产业网数据,2019年DRAM下游需求中PC端占比约12.6%,移动端占比约37.6%,服务器占比约34.9%,三者占总需求近90%。 PC端进入存量替代市场,出货稳定;移动端和服务器端DRAM需求旺盛。 5G、人工智能热潮推动移动DRAM和服务器DRAM需求上升。5G智能手机带来的出...
同样的存储介质,应用在存储和存算两个方向上,所带来的评价是不同的。目前的LPU产品,比如Groq的LPU,其利用SRAM高带宽的特性,通过集成230MB的SRAM来替代DRAM,但其中的SRAM本质上还是发挥存储功能。在“存储”这个领域上,SRAM的优势主要在于读写速度和耐久度,但其仍然存在密度低,成本高等问题。而“存算”器件...
在制程工艺方面,SRAM可以在先进工艺上如5nm上制造,DRAM和Flash可在10-20nm工艺上制造。 在电路设计难度上,存内计算DRAM > 存内计算SRAM > 存内计算Flash。在存内计算方面,SRAM和DRAM更难设计,它们是易失性存储器,工艺偏差会大幅度增加模拟计算的设计难度,Flash是非易失存储器,他的状态是连续可编程的,可以通过...
存储技术发展更迭50年,逐渐形成了SRAM、DRAM及Flash这三大主要领域。但是随着半导体制造技术持续朝更小的技术节点迈进,传统的DRAM和NAND Flash面临越来越严峻的微缩挑战;再加上由于这些存储技术与逻辑计算单元之间发展速度的失配,严重制约了计算性能和能效的进一步提升。
与DRAM相比,由于DRAM需要电容器充电/放电来完成读写,所以MRAM的读/写速度更快,在密度上MRAM和DRAM相似,但DRAM也是一种易失性存储器。此外,MRAM的单元泄漏较低;与经常刷新数据的DRAM相比,MRAM的电压要求也比较低。 与Flash相比,MRAM 与Flash同样是非易失性的,但是MRAM在耐高温、数据保存,尤其是操作耐久度上,优于...
目前主流的新型存储器主要包括四种:阻变存储器(ReRAM/RRAM),相变存储器(PCRAM),铁电存储器(FeRAM/FRAM),磁性存储器(MRAM)。其中MRAM正在成为当下主流的新型存储技术,并且有专家预言,MRAM将带来下一波的存储浪潮。 01 MRAM的特点 MRAM是一种兼具DRAM和Flash特点的存储介质,以下是MRAM的一些具体特质。
SRAM是目前读写最快的存储设备之一,但其价格昂贵,因此仅在要求苛刻的地方使用,譬如CPU一级缓冲、二级缓冲。华西证券指出,可用于存算一体的成熟存储器有Nor Flash、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM等。其中,SRAM在速度方面和能效比方面具有优势,特别是在存内逻辑技术发展起来之后,具有明显的高能效和高精度特点。SRAM、RRAM有望...
非易失性存储器技术的比较下表1比较了各种新兴的非存储器技术与已建立的存储器(SRAM,DRAM,NOR和NAND闪存)1的一些重要特性。 相变存储器,例如英特尔的光电存储器,比动态随机存取存储器小(因此密度更大),虽然没有三维与非闪存那么大,但其性能介于动态随机存取存储器和与非闪存之间。这就是为什么Optane在NVMe固态硬盘和...
另外,传统存储器所具有的易失性、微缩性差等问题可以被新型非易失性存储器很好地解决。目前可用于存算一体的成熟存储器有NOR FLASH、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM等。 本文关键词:SRAM,MRAM 相关文章:Everspin串行SPI MRAM芯片MR25H10 深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致...