应用:NAND FLASH通常用于大容量存储应用,如U盘、固态硬盘(SSD)、存储卡等;而NOR FLASH则常用于需要快速读取的场合,如代码存储等。 二、区别分析 1、读写特性 RAM类(SRAM、DRAM、SDRAM、DDR):可随机读写,但断电丢失数据。其中SRAM无需刷新,读写速度最快;DRAM需刷新,速度稍慢;SDRAM和DDR通过与时钟同步等方式提高...
易失性存储器(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non-Volatile Memory)是两大类存储器,它们的主要区别在于断电后数据的保存能力。 易失性存储器(如DRAM和SRAM)虽然速度快,但断电后数据丢失,适用于临时数据存储场景,例如计算机的主内存和缓存。 非易失性存储器(如NAND Flash、NOR Flash、EEPROM、MRAM)则能在断电...
SRAM以其快速的访问速度和低延迟而闻名,适合对性能要求高的应用。DRAM具有较高的存储容量,适用于主存储器等对容量要求较大的应用。SDRAM结合了SRAM和DRAM的特点,在DRAM的基础上通过同步时钟提供更高的性能。选择合适的存储器类型取决于系统的需求,包括性能要求、容量要求和应用场景。 总结: SDRAM和DDR SDRAM是两种不...
NAND Flash以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据，故其写入和擦除速度虽比DRAM大约慢3-4个数量级，却也比传统的机械硬盘快3个数量级，被广泛用于eMMC/EMCP、U盘、SSD等市场。相对于机械硬盘等传统存储介质，采用NAND Flash 芯片的SD 卡、固态硬盘等存储装置没有机械结构，无噪音、寿命长、功耗低、可靠性高、...
Model4芯片是一款高性能的全高清显示和智能控制SOC,采用国产自主 64 位高算力 RISC-V 内核,提供了丰富的互联外设接口,具备大容量存储和极强的扩展性。片内存储BROM 32KB、SRAM 96KB以及DRAM SiP 16bit KGD(两种规格可选:DDR2 512Mb、 DDR3 1Gb),存储接口QSPI 支持 SPI NAND Flash / SPI Nor Flash,支持eMMC...
目录技术调研-ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别1一、RAM2二、ROM3三、Flash3 本文选自公众号“FPGA之家” ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。
这一点与动态RAM(DRAM)不同,DRAM需要进行周期性的刷新操作。 然后,我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆,因为SRAM是一种易失性存储器,它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问,而不管前一次访问的是哪一个位置。
片内存储BROM 32KB、SRAM 96KB以及DRAM SiP 16bit KGD(两种规格可选:DDR2 512Mb、 DDR3 1Gb),存储接口QSPI 支持 SPI NAND Flash / SPI Nor Flash,支持eMMC5.0接口。 如此多的存储器和存储接口,究竟有何区别?本文将以半导体存储类型为主线,带大家了解各个存储器的特点、优势以及联系。
NAND Flash以页为单位读写数据,以块为单位擦除数据,故其写入和擦除速度虽比DRAM大约慢3-4个数量级,却也比传统的机械硬盘快3个数量级,被广泛用于eMMC/EMCP、U盘、SSD等市场。 相对于机械硬盘等传统存储介质,采用NAND Flash 芯片的SD 卡、固态硬盘等存储装置没有机械结构,无噪音、寿命长、功耗低、可靠性高、体...
有许多不同类型的存储设备,包括NAND Flash、NOR Flash、RAM、SRAM、DRAM、ROM、EEPROM和Flash,每种设备都有其独特的特性和应用场景。下面,我们将一一探讨这些存储技术之间的主要差异。 NAND Flash 和 NOR FlashNAND Flash和NOR Flash是两种主要的闪存技术。它们的主要区别在于访问方式。NAND Flash的数据、地址和数据...