而Dong等人则提出了一种4+2T的SRAM单元,相比传统的6T SRAM单元具有更好的噪声容限。 针对传统6T SRAM单元存在的读写干扰和存储内容翻转等问题,研究者们提出了8T和10T SRAM单元。Agrawal等人则提出了使用8T SRAM单元和8+T SRAM单元的解耦读写路径,成功实现了存内布尔运算,包括逻辑与非、逻辑或非、逻辑异或等逻...
本帖最后由 Jaycy 于 2019-9-28 11:03 编辑 1、噪声容限(Static Noise Margin)越大说明容许的噪声越大,电路的抗干扰性越好。2、相同尺寸nmos的电流要比pmos大。3、使用pmos管可以减小功耗。4、差分传输是一种信号传输的技术,区别于传统的一根信号线一根地线的做法,差分传输在这两根线上都传输信号,这两个信号...
随着技术和电源电压的缩小,由于噪声容限较小且稳定性较差,设计 SRAM 变得极具挑战性。因此,通过规模化技术,很难满足SRAM的三个约束:面积、功耗和稳定性。CNTFET的结构中,碳纳米管充当了半导体通道,通过调节栅电压来控制电荷载流子的通道。在SRAM中采用CNTFET作为存储单元的传输门或开关,可以带来一系列优势,包括更高的...
由于静态噪声容限 (SNM) 退化、开关电流比率 (I on/I off) 减少、对工艺变化敏感等原因, 超阈值SRAM位单元[1]功能容易失效。通常通过减少每根位线上位单元数补偿Ion/Ioff的退化来提高稳定性, 同时, 但这种方式也增加了该检测电路的面积开销。为了解除该限制, 最近提出了一些方案, 如通过位单元的额外晶体管把...
因为SRAM是静态的,所以不必周期性地更新存储器,且因此SRAM通常比动态随机存取存储器(DRAM)更快、密度更低且更昂贵。由于SRAM的速度,SRAM通常用于需要快速存储器的计算机应用中,所述快速存储器例如用于中央处理单元(CPU)的高速缓冲存储器、外部突发模式SRAM高速缓存、硬盘缓存、路由器缓存、CPU寄存器文件等。尽管SRAM较...
位线用于读或写基本单元的保存的状态。虽然不是必须两条取反的位线,但是这种取反的位线有助于改善噪声容限. 与动态存储器(DRAM)相比,SRAM的带宽有很大改进—由于两根位线是反相,这种差分信号使得SRAM的抗噪声干扰能力很强。而DRAM的位线连接到存储电容,受困于电荷共享(charge sharing)使得其位线信号上下波动。另...
与DRAM(动态随机存取存储器)相比它不需要周期性的刷新里面的数据,操作简单且速度更快,但是更加的昂贵,集成度不如DRAM高。 在实际应用中的存储器所需要的容量通常比所生产的芯片容量大得多,所以需要对多芯片进行组合以实现存储容量的扩充。本文以SRAM芯片......
与动态RAM(DRAM)不同,SRAM不需要周期性地对单元进行刷新的刷新电路。SRAM还提供比DRAM更快的数据存取。然而,SRAM也比DRAM占用更多空间,使用更多电能,并且倾向于更加昂贵。例如,SRAM一般用于计算机高速缓冲存储器,并且作为视频卡上的数字模拟转换器的随机存储存储器的一部分。 图1示出了常用的6-晶体管(6T)CMOS SRAM...
其中,漏电流降低倍数为原来的 漏电流与降低的漏电流之比,噪声容限表示空闲状态下的数据保持能力,即 图2.6(a)至图2.6(c)分别是双电源电压,衬底电压反偏(升高‰眦￡)及字线电 压反偏结构对漏电流的影响。由图可知,分别对SRAM单元的端点电压进行不同程 度的偏置可以得到不同程度的漏电流减小,偏压越大,漏电流越...
第三章详细分析了SRAM基本存储单元的组成结构及电路模式,说明了SRAM六管单元的工作原理,根据公式及仿真结果选择并确定六个存储管的W/L值,还分析了SRAM存储单元的静态噪声容限(SNM)及SRAM的功耗。以六管单元为基础,设计了一种高速低功耗的SRAM,工艺采用TSMC90nm工艺。而且根据需要设计了灵敏放大器、译码器等外围电路...