商品型号:SQM120P06-07L_GE3 产品状态:在售 封装规格:TO-263-3 数据手册: DATASHEET 商品编号:L103378813 商品参数 近似物料 商品类目 场效应管(MOSFET) 品牌 VISHAY(威世) 封装规格 TO-263-3 包装 圆盘 FET类型 P通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 25℃时电流-连续漏极(Id) 120A(...
SQM120P06-07L-GE3 Datasheet PDF VISHAY Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK SQM120P06-07L_GE3 Datasheet PDF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 120A TO263 SQM120P06-07L_GE3 Datasheet PDF Vishay Semiconductor VISHAY SQM120P06-07L_GE3 MOSFET Transistor,...
SQM120P06-07L-GE3 电子元器件 TO263 规格书 数据手册 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注...
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SQM120P06-07L_GE3 认证现货 厂商:VISHAY 封装/批号:TO-263/24+ 库存:36000 说明:只做原装 欢迎咨询 描述:MOSFET P-CH 60V 120A TO263 包装:800/标准卷带 漏源电压(Vdss):60V 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)...