型号 SQM110N05-06L_GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SQM110N05-06L_GE3 封装: D2PAK 批号: 2325 数量: 1600 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 55 V Id-连续漏极电流:...
型号: SQM110N05-06L-GE3 封装: TO-263 批号: 21+ 数量: 30000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-263-3 资格: AEC-Q101 高度: 4.83 mm 长度: 10.67 mm 系列: SQ 宽度: 9.65 mm 单位重量: 4 g PDF资料 集成电路(IC)-其他IC-SQM110N05-06L-...
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1个N沟道 耐压:55V 电流:110A 品牌名称VISHAY(威世) 商品型号SQM110N05-06L_GE3 商品编号C7318465 商品封装TO-263(D2PAk) 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 数据手册 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 55V 连续漏极电流(Id) 110A ...
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SQM110N05-06L_GE3 Product Completion Type standard Mounting Type standard Description standard Application MOSFET N-CH 55V 110A TO263 Series standard Features standard Manufacturing Date Code standard Supplier: Shenzhen Haorui Network Technology Co., Ltd. Lead Free Status: Lead free / RoHS Compliant...
SQM110N05-06L_GE3 制造厂商:Vishay(威世) 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-263(D2Pak) 技术参数:MOSFET N-CH 55V 110A TO263 (专注销售Vishay电子元器件,承诺原装!现货当天发货!) (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购) ...
SQM110N05-06L-GE3-VB 商品编号 C19632246 商品封装 TO-263 包装方式 管装 商品毛重 1.47克(g) 商品参数 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 属性参数值 连续漏极电流(Id)150A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4mΩ@10V ...
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