型号 SQJQ402E-T1_GE3 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活...
商品型号 SQJQ402E-T1_GE3 商品编号 C5441173 商品封装 PowerPAK-8x8 包装方式 编带 商品毛重 0.491克(g) 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)40V 连续漏极电流(Id)200A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.7mΩ@10V,20A ...
Number of Channels:1 Channel;Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40V;Id - Continuous Drain Current:200A;Rds On - Drain-Source Resistance:1.3 mOhms;Place of Origin:CN;Brand Name:Vishay;Model Number:SQJQ402E-T1-GE3;Product Completion Type:MOSFET;Series:1
SQJQ402E-T1_GE3品牌厂家:SILICONIX,所属分类:晶体管-FET,MOSFET-单个,可在锐单商城现货采购SQJQ402E-T1_GE3、查询SQJQ402E-T1_GE3代理商; SQJQ402E-T1_GE3价格批发咨询客服;这里拥有SQJQ402E-T1_GE3中文资料、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还...
制造商产品型号:SQJQ402E-T1_GE3 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体) 描述:MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 25°C时电流-连续漏极...