品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 SQD10N30-330H-GE3 商品编号 C5295914 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.67克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 300V 连续漏极电流(Id) 10A 导通电阻(RDS(on)) 330mΩ@10V,...
制造商产品型号:SQD10N30-330H_GE3 制造商:Vishay Siliconix 描述:MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):300V ...
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制造商编号 SQD10N30-330H_GE3 制造商 Vishay(威世) 授权代理品牌 唯样编号 C-SQD10N30-330H_GE3 供货 海外代购M 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 10A(Tc) N-Channel 330 mOhms @ 14A,10V 107W(Tc) TO-252 -55℃~175℃ 300V 车规...
SQD10N30-330H Stock ModelInformation goods HOT SEARCH:1181SC4N29 Online orderAddress:Home > Online order Part No.MFGD/CQTYPackingPackageNote SQD10N30-330HVISHAY17+8000TO-252MOSFET汽车 Part No.MFGD/CQTYPackagingPackage Note Username Password
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品牌名称 VISHAY(威世) 商品型号 SQD10N30-330H_4GE3 商品编号 C6495649 商品封装 TO-252AA 包装方式 编带 商品毛重 1克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 300V 连续漏极电流(Id) 10A 导通电阻(RDS(on)) 330mΩ@10V,...
型号 厂家 批号 数量 封装 包装 备注 SQD10N30-330H VISHAY 17+ 8000 TO-252 MOSFET汽车 型号 厂家 批号 数量 封装 包装 备注 帐号名 密码 联系电话 电子邮件 联系人网站首页 | 库存中心 | 图片展示 | 品牌分类 | 文章资讯 | 在线订购 | 联系我们 | 关于我们 Copyright @ 1998 - 2019 Henlito. All ...