型号 SQ3426EV-T1_GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SQ3426EV-T1_GE3 封装: SOT23 批号: 2226 数量: 9000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TSOP-6 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流:...
SQ3426EV-T1_GE3 Type standard Brand Name Original Package Type SQ3426EV-T1_GE3 Other attributes Mounting Type standard Description standard Place of Origin Original Package / Case SQ3426EV-T1_GE3 D/C newest Application standard Media Available datasheet Transistor Type standard Payment Paypal\TT\...
制造商型号: SQ3426EV-T1_GE3 制造商: SILICONIX (威世) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: 国内现货 digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多SQ3426EV-T1_GE3...
SQ3426EV-T1_GE3-VB 价格参考￥ 0.84525 。 VBsemi(微碧) SQ3426EV-T1_GE3-VB 封装/规格: SOT23-6, 台积电流片,长电封测。SOT23-6;N沟道,60V;7A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;能够提供稳定可靠的电压转换功能,如笔记本电脑电源转换器、手机充电器等。。你可以下载 SQ3426EV-T1_GE3-VB...
SQ3426EV-T1-GE3 Place of Origin Taiwan, China Brand Name other RoHS standard RoHS Compliant manufacturer Original factory Chip parameters provide encapsulation standard Part status Original brand new Date Code newest Product status On sale Warehouse Shenzhen Hong Kong Delivery date Immediate delivery Pac...
SQ3426EV-T1_GE3 全球供应商 全球供应商 (3家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 得捷 3 美国 3271 立即发货 1 RMB ¥ 税 6.986 6.115 4.687 2.964 2.964 购买 AiPCBA -1670立即发货1RMB ¥税5.3935.3935.3935.3935.393购买 ...
品牌:VBsemi 型号: SQ3426AEEV-T1_GE3-VB 商品编号: 封装规格: SOT23-6 商品描述: 台积电流片,长电封测。SOT23-6;N沟道,60V;7A;RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;能够提供稳定可靠的电压转换功能,如笔记本电脑电源转换器、手机充电器等。
系列: SQ 晶体管类型: 1 N-Channel 正向跨导 - 最小值: 21 S 下降时间: 4 ns 上升时间: 10 ns 典型关闭延迟时间: 20 ns 典型接通延迟时间: 7 ns 单位重量: 125.600 mg SQ3426AEEV-T1_GE3 电子元器件 VISHAY/威世 批次24+ 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能...
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SQ3426AEEV-T1_GE3 商品编号 C727536 商品封装 TSOP-6-1.5mm 包装方式 编带 商品毛重 0.044克(g) 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型- 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)7A ...
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