型号 SQ3426EV-T1_GE3 技术参数 品牌: VISHAY 型号: SQ3426EV-T1_GE3 封装: SOT23 批号: 2226 数量: 9000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TSOP-6 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流:...
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品牌:Vishay(威世) 型号: SQ3426EV-T1_GE3 商品编号: DS0079164 封装规格: TSOP-6-1.5mm 商品描述: 场效应管(MOSFET) SQ3426EV-T1_GE3 SOT23-6 商品详情 商品介绍 场效应管(MOSFET) SQ3426EV-T1_GE3 SOT23-6 标准包装 标准包装是从制造商/代理商处获得的最小包装规格。所以最小订货量可能会小于...
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起订数 50个起批 500个起批 2500个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 SQ3426EV-T1_GE3、 VISHAY、 原厂封装 商品图片 商品参数 品牌: VISHAY 封装: 原厂封装 批号: 22+ 数量: 30000 制造商: Vishay 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术:...
制造商产品型号:SQ3426EV-T1_GE3 制造商:Vishay Semiconductor (威世半导体) 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET? 零件状态:有源 FET类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 25°C时电流-连续漏极(Id):7A...
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SQ3426EV-T1_GE3 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 耗散功率 5 W 上升时间 12 ns 输入电容(Ciss) 720pF @30V(Vds) 下降时间 7 ns 工作温度(Max) 175 ℃ 工作温度(Min) -55 ℃ 耗散功率(Max) 5W (Tc) 封装参数 安装方式
制造商型号: SQ3426AEEV-T1_GE3 制造商: SILICONIX (威世) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多SQ3426AEEV-T1_GE3价格库存等...
品牌名称VISHAY(威世) 商品型号 SQ3426AEEV-T1_GE3 商品编号 C727536 商品封装 TSOP-6-1.5mm 包装方式 编带 商品毛重 0.044克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型- 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)7A ...