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品牌名称Infineon(英飞凌) 商品型号 SPD06N80C3 商品编号 C148257 商品封装 TO-252-2(DPAK) 包装方式 编带 商品毛重 0.481克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)800V 连续漏极电流(Id)6A ...
型号: SPD06N80C3 广西壮族自治区梧州市长洲区 二手IC回收 电子库存料回收 封装: 全国高价回收 批号: 有货找莱圳发.回收芯片IC 数量: 9999 QQ: 249617010 手机微信同步: 13714195116 可售卖地: 全国 产品类型: 优势 服务范围: 原装物资回收 收购电子元器件: 报价效率快,准,高 电子清单评估: 全国均可上门现...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 SPD06N80C3、 英飞凌直销、 场效应管 商品图片 商品参数 品牌: 英飞凌 种类: 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型: N沟道 导电方式: 耗尽型 服务: 一站式配单 交期: 相互 备注: 全新 数量: 84574 价格说明 价格:商品在平台的...
唯样商城为您提供Infineon设计生产的SPD06N80C3BTMA1 元器件,主要参数为:N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ),SPD06N80C3BTMA1库存充足,购买享优惠!
SPD06N80C3 数据手册 通过下载SPD06N80C3数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 SPD06N80C3 Final data Cool MOS™ Power Transistor V 800 0.9 6 V Ω A DS Feature R DS(on) I • New revolutionary ...
型号 SPD06N80C3ATMA1 产品详情 PDF资料 联系我们 联系人林小姐 联系电话13421397528 电子邮箱saleslin@chiptmall.com 联系地址深圳市福田区华强北街道华航社区中航路4号都会100大厦银都12M 为您推荐 查看详情 ¥1.00元 ≥100个 只做原装正品、现货库存 深圳市茂兴胜源电子有限公司 广东深圳 查看详情 ¥0.10元...
FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 标准 漏源极电压(Vdss) : 800V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 6A(Ta) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 900 毫欧 @ 3.8A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 3.9V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : 41nC @ 10V ...
SPD06N80C3 800 V CoolMOS™ 功率晶体管的规格: 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 REACH - SVHC:详细信息 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/ 箱体:DPAK-3 (TO-252-3) 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:800 V Id-连续漏极电流:6 A ...
型号:供应场效应管SPD06N80C3 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:S/开关 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:20(V) 夹断电压:800V(V) 跨导:1(μS) 极间电容:1(pF) 低频噪声系数:1(dB) 漏极电流:6A(mA) ...