型号 SPD30P06PGBTMA1 技术参数 品牌: INFINEON 型号: SPD30P06PGBTMA1 封装: PG-TO220-3 批号: 21+ 数量: 17500 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-252-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流:...
英飞凌INFINEON SPD06N80C3 Cool MOS Power Transistor 说明书.pdf,英飞凌INFINEONSPD06N80C3CoolMOSPowerTransistor说明书用户手册产品说明书使用说明文档安装使用手册SPD06N80C3 Cool MOS™ Power Transistor VDS 800 V Feature RDS(on) 0.9 Ω • New revolutionar
品牌名称Infineon(英飞凌) 商品型号 SPD06N80C3 商品编号 C148257 商品封装 TO-252-2(DPAK) 包装方式 编带 商品毛重 0.481克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)800V 连续漏极电流(Id)6A ...
功率-最大值 : 83W 安装类型 : 表面贴装 封装/外壳 : TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装 : PG-TO252-3
SPD06N80C3 概述 Cool MOS⑩ Power Transistor 酷MOS ™功率晶体管 SPD06N80C3 数据手册 通过下载SPD06N80C3数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 SPD06N80C3 Final data Cool MOS™ Power Transistor V 800 0.9 6...
型号 SPD06N80C3ATMA1 FCD850N80Z 唯样编号 D-SPD06N80C3ATMA1 A3-FCD850N80Z 制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor 供应商 海外代购D 唯样自营 分类 功率MOSFET 通用MOSFET 描述 MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3 FCD850N80Z Series 800 V 6 A 850 mOhm N-Channel SuperFet II Mosfet ...
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品牌/型号:INFINEON/英飞凌/SPD02N50C3 SPD06N80C3 IPD65R380C6 种类:绝缘栅MOSFET 材料:P-FET硅P沟道 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 品牌:INFINEON/英飞凌 型号:SPD02N50C3 SPD06N80C3 IPD65R380C6 封装外形:SMDSO/表面封装 用途:L/功率放大 ...