采用SOT-223 封装的CoolMOS™ 超结 MOSFET产品系列 面向消费电子产品应用的,DPAK经济高效的直接替代品 英飞凌在全球范围内为首个完整的高压MOSFET 产品组合提供了 SOT-223 封装,以减少总体材料成本 (BOM) ,同时保持与 DPAK 封装的完全兼容性。最新的为消费电子产品应用量身定制的 CoolMOS ™ 超结技术目前已经可...
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IPN60R600P7S 封装PG-SOT223 600V 6A 场效应管(MOSFET) 电子元器件 IPN60R600P7S 9588 INFINEON英飞凌 PG-SOT223 23+ ￥1.0000元1~-- 个 深圳市如愿电子有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 可直拍 深圳原装 FDT3N40TF SOT223 贴片场效应管 ...
原装1N60G-AA3-R 封装SOT-223 N沟道 600V 1A 场效应管 MOSFET 深圳市新大康科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.45 新洁能NCE6005AR 封装SOT-223 MOS 场效应管 优势现货 深圳市福田区飞斯创电子经营部12年 月均发货速度:暂无记录 ...
9575-VB 是一款单 P 沟道功率 MOSFET,采用 SOT223 封装。该器件具有 -60V 的漏源电压(VDS),最大栅源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为 -1.7V。9575-VB 采用了先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON)),在 VGS=4.5V 时为 65mΩ,在 VGS=10V 时为 55mΩ。最大连续漏极电流(ID)为 -7A,适用于...
4NF06L-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用SOT223封装。该器件具备60V的漏极电压(VDS)和±20V的栅极电压(VGS)额定值,阈值电压(Vth)为1.7V。采用Trench技术,具有低导通电阻(RDS(ON)),在VGS为4.5V时为33毫欧,在VGS为10V时为28毫欧,能够提供最大7A的漏极电流(ID)。适用于低压和中功率应用场合,具有良好的导通特性...
全新原装 NTF2955T1G SOT-223 P沟道-60V-2.6A贴片MOSFET场效应管 深圳市泓顺芯科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.38成交70673个 NCE0106R 场效应管 SOT-223 N沟道MOS管100V6A 贴片电子配单 深圳市宝安区灵达迅电子商行9年 ...
MOS场效应管NCE6005R MOSFET 新洁能NCE60V5A 封装SOT-223 批次23+ MOS场效应管NCE6005R 325685 新洁能NCE60V5A SOT-223 23+ ￥0.1580元10~999 个 ￥0.1550元1000~9999 个 ￥0.1520元>=10000 个 深圳市新思维电子科技有限公司 2年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 ...
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