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MOS晶体管有很多种,N沟MOS晶体管是其中常见的一种,NMOS是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏—源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B,这...
这些性能使得IRLML6402在MOS管驱动电路、开关电路、稳压电路等上面具有良好的表现。这款产品采用了SOT-23封装，SOT23封装是一种非常小型表面贴装封装，SOT23封装产品具有紧凑的尺寸、良好的散热性能，坚固耐用，工作效率很高，为工程师提供了更多灵活性。它的适应性极强，在物联网设备、电源、家电、蓝牙设备、手机、平板...
本期，合科泰主要给大家介绍一款非常常用的采用SOT-23封装的P沟道MOS管SI2301，它具有低导通电阻、低开启电压和高开关速度等特性，可用于开关电路、LED驱动电路和电池管理系统等电路上。SI2301管子的特点 PMOS的工作原理是基于场效应的，它的导电性能是由栅极电压控制的。当栅极电压为负值时,PMOS的导通电阻很小,电流...
场效应管 车规级 MOS管 TBL2305-3L SOT-23-3L 12V 4.2A 400mW P TBL2305-3L 564000 银河微电子 SOT-23-3L 22+ ￥0.1400元3000~38999 个 ￥0.1300元39000~89999 个 ￥0.1100元>=90000 个 深圳市鑫环电子有限公司 5年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 南麟NP2301BVR-G 集成电路 20V 2A P-MOS...
PMOS是指N型衬底、P沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管,因为PMOS是N型硅衬底,多数载流子是电子,少数载流子是空穴,源漏区的掺杂类型是P型,所以PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压,而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层。
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