每日更新科普知识的MOS管厂家 AP2310GN是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)参数为85mΩ(在10V下)和96mΩ(在4.5V下),以及20Vgs(±V)的电压限制和1~3Vth的阈值电压范围。 AP2310GN适用于多个应用领域。在电源管理、功率转换、驱动电路和开关电路等领域中,它可以...
FET类型 N沟道MOS管 漏源电压(Vdss) / 漏极电流(Id) / 漏源导通电阻(RDS On) / 栅源电压(Vgs) / 栅极电荷(Qg) / 反向恢复时间 / 最大耗散功率 / 配置类型 / 工作温度范围 / 安装类型 SMD 应用领域 安防设备,家用电器,3C数码,智能家居, 可售卖地 全国 型号 AO3400 货号 183400...
惠海半导体MOS管采用SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。免费提供方案及技术支持,免费提供样品测试~ MOS管型号:HC3600M 参数:30V8A
HC510中压MOS:100V,N沟道,大电流,小封装MOS,实际电压可以达到100V,可以满足LED电源,充电器,小家电等需要低压,大电流,小封装的要求。 HC510参数:100V 5A SOT-23 N沟道MOS管/场效应管:100V 5A 封装:SOT-23沟道:N沟道,产品质量稳定,广泛运用于LED电源,充电器,小家电,电源,混色LED灯等电子产品,公司免费提供...
mos管2300引脚尺寸图 MOS管2300 6A20V SOT23-参数 产品型号:KIA2300 工作方式:6.0A/20V 漏源电压:20V 栅源电压:±10A 漏电流连续:6.0A 脉冲漏极电流:20A 耗散功率:1.25W 热电阻:100℃/V 漏源击穿电压:20V 栅极阈值电压:0.5V 输入电容:888PF
型号 HC3400M大电流 【惠海半导体MOS管原厂直销】 惠海半导体专业从事30-150V中低压MOS管的设计、研发、生产与销售,性价比高,量产稳定成熟,提供方案及技术支持。惠海半导体MOS管采用沟槽/SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗...
丝印8810是该MOS管的标识，方便用户在使用时进行识别和区分。作为一款N型场效应MOS管，AO8810具有出色的电气性能。它的额定电压为20V，最大连续漏极电流可达7A，这意味着它可以在高电压和大电流的环境下稳定工作，为电子设备提供可靠的电力支持。此外，它的导通电阻较小，可以有效降低电路的功耗和发热量，提高电子设备...
类型 MOS管 型号 APM2300 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的...
ASDM6802ZC是安森德推出的场效应管(MOS管),对标美国万代(AOS)的AO6802。 ASDM6802ZC特征: 高功率和电流处理能力 获得无铅产品 表面贴装封装 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.5A 功率(Pd):1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 输入电容(Ciss@Vds...
MOSFETMOS管VBsemi 型号:AO3404-VB 品牌:VBsemi(微碧) --- 产品参数 --- 封装SOT23封装 沟道N—Channel --- 数据手册 --- AO3404.pdf --- 产品详情 --- VBsemi AO3404-VB是一款N-Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管。以下是详细参数说明和应用简介: ...