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近日,萃锦半导体推出采用SOT-227封装的1200V SiC MOSFET,专为在高压、高效率和高温环境下工作而设计。 在芯片方面, SiC器件对比Si具有更高耐压、更低损耗、更耐高温等优点。 在封装方面,SOT-227是一种高功率封装,具有出色的热性能和机械稳定性。它通常包括一个金属底板,有助于散热,以及为了便于安装和连接而...
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全新原装正品型号 IXKN45N80C 封装 SOT-227B 电源模块拍前先询价 深圳市佳达源电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥100.00 DSEI2X101-06A 快恢复二极管模块 96A/600V SOT-227封装 全新原装 深圳市龙源达微电子有限公司8年
SOT-227FJ封装采用较大余量的芯片,以MD50HV16FJ产品为例,单颗芯片的尺寸为5.81mm*5.81mm,理论上的通流能力在33A,超出我们标称电流25A的30%,所以产品拥有更强的浪涌能力和更强的抗冲击能力。 2022-05-26 17:35:30 Vishay宣布拓宽SOT-227封装电源模块产品线 将有7款新器件受益 ...
SOT-227封装的产品具有模块体积小、热阻低、通流能力强的特点,同时,SOT-227为内绝缘封装,安装简便,也更安全。 近日,瞻芯电子推出了一系列采用SOT-227封装的碳化硅(SiC) MOSFET、碳化硅(SiC)二极管以及混合封装产品。采用SOT-227封装的产品具有模块体积小、热阻低、通流能力强的特点,同时,SOT-227为内绝缘封装,安装...
封装 SOT-227 批号 21+ 数量 300 制造商 Vishay 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 ChassisMount 封装/箱体 SOT-227-4 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1Channel Vds-漏源极击穿电压 100V RdsOn-漏源导通电阻 6.5mOhms Vgs-栅极-源极电压 10V Vgsth-栅源极阈值电压 2V 最小工作温度 ...
SOT-227封装介于单管和模块之间,M4螺丝法蓝底板安装4个引出端口,属于内绝缘封装的一种,常用来封装IGBT、各类二极管、MOSFET等。 比亚迪半导体针对该封装确认了一单元和二极管两种开发方向: 未来比亚迪半导体也会推出更多产品型号,致力于覆盖全电压、电流的IGBT一单元和二极管模块产品。比亚迪半导体作为高效、智能...
SOT-227 FJ封装采用较大余量的芯片,以MD50HV16FJ产品为例,单颗芯片的尺寸为5.81mm*5.81mm,理论上的通流能力在33A,超出我们标称电流25A的30%,所以产品拥有更强的浪涌能力和更强的抗冲击能力。 2022-05-26 17:35:30 Vishay宣布拓宽SOT-227封装电源模块产品线 将有7款新器件受益 日前,Vishay Intertechnology,...
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