Smart-cut技术是一种注入氢离子然后进行剥离的技术,即在键合的一片晶片上注入氢离子,然后和另一硅片在一定温度下键合。键合热处理温度在大约500℃时,氢离子注入处会形成连续的空腔,从而自动剥离形成SOI结构。键合SOI缺点是难以获得较薄(< 100 nm)的硅膜,这就限制了其在高速ULSI、低压、低功耗方面的应用。为了解决...
Thomas解释说，“我们主要使用Smart Cut技术将碳化硅晶圆体进行精准切割，将他们切割成超薄单晶碳化硅层，再将切割后的超薄单晶碳化硅层放置在其他的材料之上，而形成了一个全新的结构，但是这个结构和我们纯的碳化硅的材料相比将会带来同样或更好的电气性能。这样，我们可以增加良率并提高性能。通过切割碳化硅晶圆成10个或...
而Smart-Cut 技术则为法国 SOITEC 开发的方法,可有效加速 SOI 制作速率。Smart-Cut 前半部分将如 BESOI 技术一般,先将两片 Si 晶圆经高温氧化形成表面氧化层,然后将其中一片的氧化层以离子布植机打入大量氢离子(H+),随后再将两片氧化层以亲水性链结(Hydrophilic Bonding)方式相互接合,并加热至 400～600℃使...
目前GOI的制备 方法主要有Smart-cut技术、Ge浓缩技术及液相外延生长(LPE)等。其中Smart—cut技术 能够精确控制GoI项层Ge膜的厚度,而且得到的Ge膜位错密度很小,有利于Ge器件性能 的提高。本文利用Smart-cut技术结合键合方法制备了GOI结构,并重点研究后续退火对 GOI的晶体质量及应力情况的影响. 本实验采用P型(100)Ge...
Smart cut是继BESOI技术之后发展起来的新型智能剥离技术,它解决了BESOI技术中减薄的困难同时兼顾了SIMOX技术和键合技术的优点,利用智能剥离技术形成SOI材料的一些关键问题,如注氢剂量,能量的选择,键合前的亲水处理等作了一些研究。得到了最佳的注氢剂量,能量以及亲水处理方法。在3英寸硅片上成功地实现了智能剥离。关键...
1. The substrate, which is applied to optoelectronic devices, is fabricated by using Si based sol gel sticking and smart cut techniques. 这种可用于光电子器件的衬底是由硅基乳胶粘接和智能剥离技术研制而成的 。2) smart-cut 智能剥离 1. Fabrication of SOI material based on smart-cut technology...
摘要:Smarlcut是继BESOt技术之后发展起来的新型智能剥离技术,它解决了BESOI技术中减薄的困难,同时兼顾了SIMOX技术和键合技术的优点,利用智能剥离-R-f-N成SOl材料的一些关键问题,如注氢剂量,能量的选择,键舍前的亲水处理等作了一些研究,得到了最佳的注氢剂量,能量以厦亲水处理方法。在3英寸硅片上成功地实现了智能剥...
索尼公司连续大约四年的亏损,为了能有好的发展,新老板想出了一个策略。电视业务一直以来都是一个亏损的项目,因此消减了10000个工作岗位。把所有的投入都集中在三个企业移动设备,包括智能手机和平板电脑,相机和携带式摄像机和游戏。索尼公司更关注的是Xperia 系列的智能手机,正在迅速成为一个技术性的生态系统。这样的...
索尼公司连续大约四年的亏损,为了能有更好的发展,新老板Kazuo Hirai想出了一个策略。电视业务一直以来都是一个亏损的项目,因此消减了10000个工作岗位。把所有的精力都投入在三个企业移动设备,包括智能手机和平板电脑,相机和携带式摄像机和游戏。索尼公司更关注的是Xperia 系列的智能手机,正在迅速成为一个技术性的生态...
smart-cut技术是一种注入氢离子然后进行剥离的技术,即在键合的一片晶片上注入氢离子,然后和另一硅片在一定温度下键合。键合热处理温度在大约500℃时,氢离子注入处会形成连续的空腔,从而自动剥离形成soi结构。键合soi最大缺点是难以获得较薄(< 100 nm)的硅膜,这就限制了其在高速ulsi、低压、低功耗方面的应用。为了...