必应词典为您提供smart-cut的释义,网络释义: 智能剥离;智能剥离技术;智能剥离法;
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Smart-Cut 技术则为法国 SOITEC 开发的方法,可有效加速 SOI 制作速率。Smart-Cut 前半部分将如 BESOI 技术一般,先将两片 Si 晶圆经高温氧化形成表面氧化层,然后将其中一片的氧化层以离子布植机打入大量氢离子(H+),随后再将两片氧化层以亲水性链结(Hydrophilic Bonding)方式相互接合,并加热至 400～600℃使氢...
Smart-Cut是什么?相关知识点: 试题来源: 解析 只能剥离技术是一种注入氢离子然后进行剥离的技术,即在键合的一片晶片上注入氢离子,然后和另一硅片在一定温度下键合,键合热处理温度大约500°C时,氧离子注入处会形成连续的空腔,从而自动剥离形成SOI结构。反馈 收藏 ...
Smart-cut技术是一种注入氢离子然后进行剥离的技术,即在键合的一片晶片上注入氢离子,然后和另一硅片在一定温度下键合。键合热处理温度在大约500℃时,氢离子注入处会形成连续的空腔,从而自动剥离形成SOI结构。键合SOI缺点是难以获得较薄(< 100 nm)的硅膜,这就限制了其在高速ULSI、低压、低功耗方面的应用。为了解决...
smart-cut-宁波4米6米8米10米数控切割机|等离子切割机供应商: 昆山乾坤机器制造有限公司 联系人: 吴明 地址: 江苏苏州市详细信息宁波4米6米8米10米数控切割机|等离子切割机 李 精度: 7.2.1 直角度:4M×2M方的对角误差±0.5mm 7.2.2 直线度:±0.2mm/10m 7.2.3 自动调高装置:弧压调高和初始定位装置,调...
smart-cut技术是一种注入氢离子然后进行剥离的技术,即在键合的一片晶片上注入氢离子,然后和另一硅片在一定温度下键合。键合热处理温度在大约500℃时,氢离子注入处会形成连续的空腔,从而自动剥离形成soi结构。键合soi最大缺点是难以获得较薄(< 100 nm)的硅膜,这就限制了其在高速ulsi、低压、低功耗方面的应用。为了...
Thomas解释说，“我们主要使用Smart Cut技术将碳化硅晶圆体进行精准切割，将他们切割成超薄单晶碳化硅层，再将切割后的超薄单晶碳化硅层放置在其他的材料之上，而形成了一个全新的结构，但是这个结构和我们纯的碳化硅的材料相比将会带来同样或更好的电气性能。这样，我们可以增加良率并提高性能。通过切割碳化硅晶圆成10个或...
Smart-cut技术是一种注入氢离子然后进行剥离的技术,即在键合的一片晶片上注入氢离子,然后和另一硅片在一定温度下键合。键合热处理温度在大约500℃时,氢离子注入处会形成连续的空腔,从而自动剥离形成SOI结构。键合SOI最大缺点是难以获得较薄(< 100 nm)的硅膜, 这就限制了其在高速ULSI、低压、低功耗方面的应用。为...
三大SOI 生成方法,以 Smart-Cut 技术独步群雄 以SIMOX 技术为例,成长 SOI 方法主要透过离子布植机,将大量氧离子(O+ ions)打入 Si 晶圆前缘部分,再透过高温退火(1,300℃)使其产生氧化层,最终形成 Si/SiO2(Buried Oxide)/Si Substrate 结构。 该技术制作的 SOI 虽较容易,但由于氧离子于离子布植时,难以穿透 ...