MLC:适用于对性能与成本平衡有一定要求的高级用户,如游戏玩家及创意工作者。 TLC:适用于大多数普通家庭用户与办公用户,日常使用完全够用、笔记本。 QLC:适用于预算有限且需要大量存储空间的用户,如数据存储密集但读取频率低的场景、国产。
尽管速度较SLC和MLC略低,但随着技术的进步,TLC成为目前市场上的主流颗粒。 2.4 QLC:四层存储单元 QLC每个cell存储4bit数据,存储密度最高,成本最低,但寿命和速度也最短(理论擦写次数仅为150-300次)。QLC主要面向需要大量存储空间且价格敏感的用户群体,尽管寿命相对较短,但对普通家用和商业办公来说已经足够。 三、...
mlc理论寿命=120*3000/10=36000天=98.6年; tlc理论寿命=120*500/10=6000天=16.44年; qlc理论寿命=120*150/10=1800天=4.93年。 qlc看起来很垃圾,但是不能这样算,因为qlc的优势是单位存储密度大,qlc硬盘至少得500G起步,市场普及后应该1T起步,按照500G计算理论寿命为20.55年,1T计算则为41年以上,估计电脑退休了,...
slc>mlc>tlc>qlc 量化一下就是: slc(单层存储单元)理论擦写次数10万次,mlc(双层存储单元)3000-10000次;tlc(三层存储单元)500-1000次;qlc(四层存储单元)仅仅150次,这样一个硬盘的寿命就很直观了。 这说的是2D工艺,现在的闪存都是3D的,QLC的寿命已经突破了1000P/E,和以前的TLC相仿了,但是依然比不过同样是3D...
单层单元 - SLC多层单元 - MLC三层单元 - TLC四层单元 - QLC 单层单元(Single Level Cell,简称SLC) 单层单元闪存俗称SLC,这种类型的闪存在读写数据时具有最为精确,并且还具有持续最长的数据读写寿命的优点。 SLC擦写寿命约在9万到10万次之间。这种类型的闪存由于其使用寿命,准确性和综合性能,在企业市场上十分受...
TLC和MLC是两种不同的硬盘粒,在正常条件下,MLC的使用寿命比TLC长,MLC在读写速度上比TLC硬盘快,而且TLC硬盘在长时间使用后会失去速度,但在正常家用中它们之间的差异并没有那么大,MLC在各方面都优于TLC硬盘,但同等容量的MLC硬盘在价格上要高于TLC硬盘,在选择固态硬盘时需要考虑用户的具体用途和预期预算,对于大多数...
SLC、MLC、TLC、QLC闪存颗粒详解SLC，即Single-Level Cell，以1bit/cell的存储密度著称。其结构简约而高效，执行速度极快且耐用度高。然而，高昂的价格（约是MLC的三倍）限制了其广泛普及。SLC闪存颗粒在企业级SSD中颇为常见，如Intel X25-E系列，以及某些高端U盘产品。MLC，即Multi-Level Cell，以2bit/cell的...
目前在SLC、MLC、TLC、QLC闪存颗粒中，TLC已经是主角，QLC是未来发展趋势。QLC颗粒跟前几种颗粒相比最大的优势是价格便宜，容量大，虽然P/E寿命低，但是大容量的优点很好的弥补了这个弱点。TLC又有2D-TLC与3D-TLC两种，目前市面上以3D-TLC居多。3D-TLC又再细分为32层3D-TLC、64层3D-TLC、96层3D-TLC以及最新...
3D NAND闪存颗粒SLC、MLC、TLC、QLC的区别是什么？闪存是一种永久性的半导体可擦写存储器，U盘、SD存储卡、SSD 等都属于闪存。3D NAND颗粒又可以分为32层、48层甚至64层或更高层次，3D TLC/MLC颗粒的不同产品，各大厂商的技术不尽相同。根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC...
TLC:Trinary-Level Cell(三层存储单元),每个cell单元存储3bit信息,电压从000到111有8种变化,容量比MLC更大,但控制更复杂,速度也更慢,P/E寿命在1000-3000次左右。 QLC:Quad-Level Cell(四层存储单元),同理每个单元存储4bit信息,电压从0000到1111有16种变化,写入性能会进一步降低,P/E寿命也进一步减少至1000次左...