华太电子正式发布超结二代(SJ-IGBT)家族新品—HGW75N65S2HEM与HKW75N65S2HEM,以650V/75A双规格、超低损耗与智能集成设计,为中高压应用提供了更加高效和可靠的解决方案。 产品关键参数 典型应用 HGW75N65S2HEM:汽车高压系统的“效能心脏” 新能源汽车(HEV/EV)充电系统: 在电动汽车充电过程中,能够提升能效,...
引言 在新能源与工业电源领域,高效、高可靠性功率器件是系统设计的核心。华太电子正式发布超结二代(SJ-IGBT)家族新品—HGW75N65S2HEM与HKW75N65S2HEM,以650V/75A双规格、超低损耗与智能集成设计,为中高压应用提供了更加高效和可靠的解决方案。01 产品关键参数 典型应用 HGW75N65S2HEM:汽车高压系统的“效能心...
一种SJIGBT结构及其形成方法,所述方法包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底内形成多个栅极结构;在所述半导体衬底上形成多个插塞结构;其中,所述半导体衬底内具有P型体掺杂区和多个P型柱体,至少一部分P型柱体穿通所述P型体掺杂区;对于每个穿通所述P型体掺杂区的P型柱体,该P型柱体与相邻的插塞结构之间均通过单个...
对于IGBT器件而言，其核心参数包括饱和压降典型值、关闭损耗、二极管正向压降以及栅极电荷。而对于SJ MOS管和SGT MOS管，其关键性能指标则主要聚焦于导通电阻与栅极电荷的乘积优值以及单纯的导通电阻。这些参数不仅决定了器件的性能优劣，更是各类应用场景选择功率器件的重要依据。
SJ MOSFET的缺点: 1. 成本较高:由于制造工艺复杂,SJ MOSFET的成本通常高于传统MOSFET。 2. 热管理要求高:快速开关和高功率密度可能导致较高的热损耗,需要有效的热管理措施。 IGBT的优点: 1. 高电压和电流处理能力:IGBT能够处理更高的电压和电流,适用于高功率应用。 2. 高输入阻抗:IGBT具有极高的输入阻抗,可以...
设计模型击穿电压为3500V.在SiC-IGBT研究中,在相同材料的物理参数情况下,计算了横向SiC-LIGBT,竖直型槽栅SiC-UIGBT,竖直型平面栅SiC-DIGBT,三种器件的热学和电学... 李俊楠 - 北京化工大学 被引量: 12发表: 0年 平面栅功率MOS场效应晶体管结构研究进展 随着新能源应用的需求,直流变换器不断向小型化,高功率密...
A股异动｜捷捷微电涨逾4% 与中芯集成在SGT、SJ、IGBT芯片及模组领域展开全面战略合作 格隆汇12月3日丨捷捷微电涨逾4%，报35.03元，总市值258亿元。捷捷微电昨日公布，为增强企业可持续发展能力，提升企业的产品竞争力，公司与绍兴中芯集成电路制造股份有限公司本着优势互补、共同发展的原则，在中低压SGT MOSFET、...
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若用mosfet能满足要求，一般用mosfet，它的频率肯定更高。IGBT应用于大电压大功率场合。
图5 Si SJ-MOSFET(图左)与SiC MOSFET(图右)Qg特性曲线 2、SiC MOSFET与Si IGBT的参数对比 由于SiC材料的特性,1200V、1700V 电压等级的SiC MOSFET可以与硅基同等电压的IGBT相比较,为了更好地体现SiC与Si IGBT器件之间的特性区别,选取常用的1200V25A等级的SiC MOSFET与Si IGBT,利用其数据手册中提供的数据进行对...